BAT41, Диод Шоттки 100В 100мА [DO-35]
![BAT41, Диод Шоттки 100В 100мА [DO-35]](/file/p_img/1758315.jpg)
Производитель: ST Microelectronics, BAT41
Материал | кремний |
Кол-во диодов в корпусе | 1 |
Максимальное постоянное обратное напряжение, Vr | 100 в |
Максимальный (средний) прямой ток на диод, If(AV) | 100 мА (DC) |
Максимальное прямое напряжение при Tj=25 °C, Vf при If | 450 мВ при 1 мА |
Максимальный обратный ток при Tj=25 °C, Ir при Vr | 100 нА при 50 В |
Рабочая температура PN-прехода | -65…+125 C |
Корпус | DO-204AH / DO-35 |
Емкость при Vr, F | 2 пФ при 1 В, 1 МГц |
Диоды с барьером Шоттки, до 1 А, STMicroelectronics Высокая мощность, эффективность и плотность.
BAT254,115, Диод Шоттки, 30В, 200мА [SOD-110]
![BAT254,115, Диод Шоттки, 30В, 200мА [SOD-110]](/file/p_img/1758314.jpg)
Производитель: NXP Semiconductor, BAT254,115
Материал | кремний |
Кол-во диодов в корпусе | 1 |
Максимальное постоянное обратное напряжение, Vr | 30 в |
Максимальный (средний) прямой ток на диод, If(AV) | 200 мА (DC) |
Максимальное прямое напряжение при Tj=25 °C, Vf при If | 800 мВ при 100 мА |
Максимальный обратный ток при Tj=25 °C, Ir при Vr | 2 мкА при 25 В |
Рабочая температура PN-прехода | -40…+125 C |
Корпус | SOD-110 |
Емкость при Vr, F | 10 пФ при 1 В, 1 МГц |
BAT20JFILM, Диод Шоттки 23В 1А [SOD-323]
![BAT20JFILM, Диод Шоттки 23В 1А [SOD-323]](/file/p_img/1758313.jpg)
Производитель: ST Microelectronics, BAT20JFILM
Материал | кремний |
Кол-во диодов в корпусе | 1 |
Максимальное постоянное обратное напряжение, Vr | 23 В |
Максимальный (средний) прямой ток на диод, If(AV) | 1 А |
Максимальное прямое напряжение при Tj=25 °C, Vf при If | 620 мВ при 1 А |
Максимальный обратный ток при Tj=25 °C, Ir при Vr | 12 мкА при 15 В |
Рабочая температура PN-прехода | -40…+150 C |
Корпус | SOD-323 |
Емкость при Vr, F | 30 пФ при 5 В, 1 МГц |
Диоды с барьером Шоттки, до 1 А, STMicroelectronics Высокая мощность, эффективность и плотность.
BAS85,115, Диод Шоттки 30В 0.2А [SOD-80C]
![BAS85,115, Диод Шоттки 30В 0.2А [SOD-80C]](/file/p_img/1758288.jpg)
Производитель: Nexperia, BAS85,115
Материал | кремний |
Кол-во диодов в корпусе | 1 |
Максимальное постоянное обратное напряжение, Vr | 30 в |
Максимальный (средний) прямой ток на диод, If(AV) | 200 мА |
Максимальное прямое напряжение при Tj=25 °C, Vf при If | 800 мВ при 100 мА |
Максимальный обратный ток при Tj=25 °C, Ir при Vr | 2.3 мкА при 25 В |
Рабочая температура PN-прехода | -40…+125 C |
Корпус | MINI-MELF / SOD-80 (Glass) |
Емкость при Vr, F | 10 пФ при 1 В, 1 МГц |
Диоды с барьером Шоттки, 200–500 мА, Nexperia
BAS70-05WFILM, Диод Шоттки х2 70V 0.07A 0.41V общий катод [SOT-323]
![BAS70-05WFILM, Диод Шоттки х2 70V 0.07A 0.41V общий катод [SOT-323]](/file/p_img/1758287.jpg)
Производитель: ST Microelectronics, BAS70-05WFILM
Диоды с барьером Шоттки, до 1 А, STMicroelectronics Высокая мощность, эффективность и плотность.
BAS70-04,215, 2 диода Шоттки, 0.07А, 70В, последовательные [SOT-23]
![BAS70-04,215, 2 диода Шоттки, 0.07А, 70В, последовательные [SOT-23]](/file/p_img/1758285.jpg)
Производитель: Nexperia, BAS70-04,215
Материал | кремний |
Кол-во диодов в корпусе | 2 |
Максимальное постоянное обратное напряжение, Vr | 70 в |
Максимальный (средний) прямой ток на диод, If(AV) | 70 мА (DC) |
Максимальное прямое напряжение при Tj=25 °C, Vf при If | 1 В при 15 мА |
Максимальный обратный ток при Tj=25 °C, Ir при Vr | 10 мкА при 70 В |
Рабочая температура PN-прехода | -40…+150 C |
Корпус | SOT-23-3 / TO-236AB / SC-59 |
Диод Шоттки общего назначения серии BAS70, заключенный в небольшой пластиковый корпус для поверхностного монтажа (SMD). Он используется для свер…
BAS40-06, Диод Шоттки 40V 120mA 1V @ 40mA [SOT-23]
Производитель: NXP Semiconductor, BAS40-06
Материал | кремний |
Корпус | sot23 |
BAS40-05,215, Диод Шоттки х2 40V 120мА общий катод [SOT-23]
![BAS40-05,215, Диод Шоттки х2 40V 120мА общий катод [SOT-23]](/file/p_img/1758281.jpg)
Производитель: Nexperia, BAS40-05,215
Материал | кремний |
Кол-во диодов в корпусе | 2 |
Максимальное постоянное обратное напряжение, Vr | 40 в |
Максимальный (средний) прямой ток на диод, If(AV) | 120 мА (DC) |
Максимальное прямое напряжение при Tj=25 °C, Vf при If | 1 В при 40 мА |
Максимальный обратный ток при Tj=25 °C, Ir при Vr | 10 мкА при 40 В |
Рабочая температура PN-прехода | -40…+150 C |
Корпус | SOT-23-3 / TO-236AB / SC-59 |
Диоды с барьером Шоттки, до 120 мА, Nexperia
BAS40-04, Диодная сборка, 2 диода Шоттки, последовательное включени, 40В, 200мА [SOT-23-3]
![BAS40-04, Диодная сборка, 2 диода Шоттки, последовательное включени, 40В, 200мА [SOT-23-3]](/file/p_img/1758280.jpg)
Производитель: Multicomp, BAS40-04
• Защитное кольцо PN для защиты от переходных процессов и электростатических разрядов • Обратное напряжение 40 В постоянного тока • Те…
BAS40-04,215, 2 диода Шоттки, 0.12А, 40В, последовательные [SOT-23]
![BAS40-04,215, 2 диода Шоттки, 0.12А, 40В, последовательные [SOT-23]](/file/p_img/1758279.jpg)
Производитель: Nexperia, BAS40-04,215
Материал | кремний |
Кол-во диодов в корпусе | 2 |
Максимальное постоянное обратное напряжение, Vr | 40 в |
Максимальный (средний) прямой ток на диод, If(AV) | 120 мА (DC) |
Максимальное прямое напряжение при Tj=25 °C, Vf при If | 1 В при 40 мА |
Максимальный обратный ток при Tj=25 °C, Ir при Vr | 10 мкА при 40 В |
Рабочая температура PN-прехода | -40…+150 C |
Корпус | SOT-23-3 / TO-236AB / SC-59 |
Диоды с барьером Шоттки, до 120 мА, Nexperia