IRFBC20
Производитель: Vishay
МОП-транзистор N-канальный MOSFET, от 600 В до 1000 В, Vishay Semiconductor
IRFB260NPBF, Транзистор, N-канал 200В 56А [TO-220AB]
![IRFB260NPBF, Транзистор, N-канал 200В 56А [TO-220AB]](/file/p_img/1705709.jpg)
Производитель: Infineon Technologies, IRFB260NPBF
| Структура | n-канал |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 200 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 56 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.04 Ом/34А, 10В |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 380 |
| Крутизна характеристики, S | 29 |
| Корпус | TO-220AB |
MOSFET, N, 200V, 56A, TO-220 Transistor Type MOSFET Transistor Polarity N Voltage, Vds Typ 200V Current, Id Cont 56A Resistance, Rds On 0.04ohm Volt…
IRF9Z34
Производитель: Vishay
МОП-транзистор МОП-транзистор с каналом P, от 30 до 80 В, Vishay Semiconductor
IRF9Z24NPBF, Транзистор, P-канал 55В 12А [TO-220AB]
![IRF9Z24NPBF, Транзистор, P-канал 55В 12А [TO-220AB]](/file/p_img/1705674.jpg)
Производитель: Infineon Technologies, IRF9Z24NPBF
| Структура | p-канал |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 55 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 12 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.175 Ом/7.2А, 10В |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 45 |
| Крутизна характеристики, S | 2.5 |
| Корпус | TO-220AB |
P-канальные силовые полевые МОП-транзисторы от 40 до 55 В, Infineon Линейка дискретных силовых полевых МОП-транзисторов Infi…
IRF9530NS
Производитель: Infineon Technologies
МОП-транзисторКорпус TO-263-3, Конфигурация и полярность P, Максимальное напряжение сток-исток 100 В, Ток стока номинальный при 25°C, без…
IRF7450
Производитель: Infineon Technologies
МОП-транзисторMOSFET, N, SO-8 Transistor Type MOSFET Transistor Polarity N Voltage, Vds Typ 200V Current, Id Cont 2.5A Resistance, Rds On…