ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
IRF9Z34 - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Vishay
IRF9Z34
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
IRF9Z34
Последняя цена
180 руб.
Сравнить
Описание
МОП-транзистор
МОП-транзистор с каналом P, от 30 до 80 В, Vishay Semiconductor
Информация
Производитель
Vishay
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
1705684
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
+175 °C
Количество Выводов
3вывод(-ов)
Стиль Корпуса Транзистора
TO-220
Рассеиваемая Мощность
88Вт
Полярность Транзистора
P-Channel
Напряжение Истока-стока Vds
60В
Непрерывный Ток Стока
18А
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)
0.14Ом
Напряжение Измерения Rds(on)
10В
Пороговое Напряжение Vgs
4В
Transistor Mounting
Through Hole
Максимальный непрерывный ток стока
18 А
Максимальное рассеяние мощности
88 Вт
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Ширина
4.7мм
Высота
9.01мм
Transistor Material
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Length
10.41mm
Конфигурация транзистора
Одинарный
Brand
Vishay
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Максимальное сопротивление сток-исток
140 mΩ
Максимальное напряжение сток-исток
60 В
Typical Gate Charge @ Vgs
34 нКл при 10 В
Номер канала
Поднятие
Тип канала
P
Maximum Gate Source Voltage
-20 В, +20 В
Id - непрерывный ток утечки
18 A
Pd - рассеивание мощности
88 W
Qg - заряд затвора
34 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток
140 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток
60 V
Vgs - напряжение затвор-исток
10 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток
2 V
Вид монтажа
Through Hole
Время нарастания
120 ns
Время спада
58 ns
Длина
10.41мм
Канальный режим
Enhancement
Категория продукта
МОП-транзистор
Количество каналов
1 Channel
Конфигурация
Single
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.
5.9 S
Подкатегория
MOSFETs
Размер фабричной упаковки
50
Серия
IRF9Z
Технология
Si
Тип продукта
MOSFET
Тип транзистора
1 P-Channel
Типичное время задержки выключения
20 ns
Типичное время задержки при включении
18 ns
Торговая марка
Vishay / Siliconix
Упаковка / блок
TO-220AB-3
Упаковка
Tube
Тип корпуса
TO-220AB
Размеры
10.41 x 4.7 x 9.01мм
Материал транзистора
SI
Transistor Configuration
Одинарный
Типичное время задержки включения
18 нс
Производитель
Vishay
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Число контактов
3
Категория
Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs
34 нКл при 10 В
Типичная входная емкость при Vds
1100 pF@ 25 V
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Width
4.7мм
Channel Type
P
Минимальное пороговое напряжение включения
2V
Крутизна характеристики S,А/В
5.9
Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В
-4
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм
140
Температура, С
-55…+175
Техническая документация
IRF9Z34 datasheet , pdf
, 175 КБ
IRF9Z34N , pdf
, 109 КБ
Datasheet IRF9Z34PBF , pdf
, 149 КБ
Datasheet IRF9Z34PBF , pdf
, 285 КБ
