ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
IRLMS2002TRPBF, МОП-транзистор MOSFET 20V 6.5A 30mOhm 15nC Log Lvl, [TSOP-6] - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Infineon Technologies
IRLMS2002TRPBF, МОП-транзистор MOSFET 20V 6.5A 30mOhm 15nC Log Lvl, [T…
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
IRLMS2002TRPBF, МОП-транзистор MOSFET 20V 6.5A 30mOhm 15nC Log Lvl, [TSOP-6]
Последняя цена
39 руб.
Сравнить
Описание
Корпус SOT236, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 20 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 6.5 А, Сопротивление открытого канала (мин) 30 мОм
Информация
Производитель
Infineon Technologies
Артикул
IRLMS2002TRPBF
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
1773536
Технические параметры
Вес, г
0.1
Структура
n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В
20
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А
6.5
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В
12
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)
0.03 Ом/6.5А, 4.5В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт
2
Крутизна характеристики, S
13
Корпус
Micro-6/SOT-23-6
Пороговое напряжение на затворе
1.2
Техническая документация
irlms2002pbf , pdf
, 154 КБ
Datasheet IRLMS2002TRPBF , pdf
, 162 КБ