Микросхемы - Драйверы MOSFET и IGBT - купить, сравнить

Сравнить

Кол-во каналов	1
Напряжение питания, В	10…20
Логическое напряжение (VIL), В	0.8
Логическое напряжение (VIH), В	2.5
Пиковый выходной ток нарастания (Source), А	0.25
Пиковый выходной ток спада (Sink), А	0.5
Тип входа	неинвертирующий
Номинальное время нарастания (Rise Time), нс	70
Номинальное время затухания (Fall Time), нс	30
Рабочая температура, °C	-55…+150 (TJ)
Корпус	soic-8 (0.154 inch)
Тип управляемого затвора	IGBT, N-CH MOSFET
Максимальное напряжение смещения, В	600

Драйверы MOSFET высокого напряжения, Fairchild Semiconductor

Сравнить

Драйверы для управления затвором Dual 2A High-Speed Low-Side Gate Driver

Сравнить

Кол-во каналов	2
Напряжение питания, В	4.5…18
Логическое напряжение (VIL), В	38
Логическое напряжение (VIH), В	2
Пиковый выходной ток нарастания (Source), А	5
Пиковый выходной ток спада (Sink), А	5
Тип входа	неинвертирующий
Номинальное время нарастания (Rise Time), нс	12
Номинальное время затухания (Fall Time), нс	9
Рабочая температура, °C	-40…+125 (TA)
Корпус	soic-8 (0.154 inch)
Тип управляемого затвора	N-CH MOSFET

Корпус SO-8

Сравнить

Кол-во каналов	2
Напряжение питания, В	4.5…18
Пиковый выходной ток нарастания (Source), А	5
Пиковый выходной ток спада (Sink), А	5
Тип входа	неинвертирующий
Номинальное время нарастания (Rise Time), нс	12
Номинальное время затухания (Fall Time), нс	9
Рабочая температура, °C	-40…+125 (TA)
Корпус	soic-8 (0.154 inch)
Тип управляемого затвора	N-CH MOSFET

Драйверы для управления затвором DUAL 4A HIGH-SPEED LOW-SIDE GATE

Сравнить

ADuM3223, изолированный прецизионный полумостовой драйвер 3 кВ среднекв. и низковольтные выходы. Он сочетает в себе высокоскоростную КМОП-м…

Сравнить

Кол-во каналов	2
Напряжение питания, В	4.6…13.2
Логическое напряжение (VIL), В	0.8
Логическое напряжение (VIH), В	2
Тип входа	Инвертирующий, Неинвертирующий
Номинальное время нарастания (Rise Time), нс	20
Номинальное время затухания (Fall Time), нс	11
Рабочая температура, °C	0…+150 (TJ)
Корпус	DFN-8 EP (3x3)
Тип управляемого затвора	N-CH MOSFET
Максимальное напряжение смещения, В	35