Микросхемы - Драйверы MOSFET и IGBT - купить, сравнить


Драйверы MOSFET и IGBT

IR2101SPBF, Драйвер ключей верхнего и нижнего уровней, [SO-8]
IR2101SPBF, Драйвер ключей верхнего и нижнего уровней, [SO-8]
Производитель: Infineon Technologies, IR2101SPBF
Кол-во каналов 2
Напряжение питания, В 10…20
Логическое напряжение (VIL), В 0.8
Логическое напряжение (VIH), В 3
Пиковый выходной ток нарастания (Source), А 0.21
Пиковый выходной ток спада (Sink), А 0.36
Тип входа неинвертирующий
Номинальное время нарастания (Rise Time), нс 100
Номинальное время затухания (Fall Time), нс 50
Рабочая температура, °C -40…+150 (TJ)
Корпус soic-8 (0.154 inch)
Тип управляемого затвора IGBT, N-CH MOSFET
Максимальное напряжение смещения, В 600

MOSFET, amp; Драйверы затвора IGBT, верхняя и нижняя стороны, Infineon ИС драйверов затвора от Infineon для управления силов…

IR2101PBF, Драйвер ключей верхнего и нижнего уровней, [DIP-8]
IR2101PBF, Драйвер ключей верхнего и нижнего уровней, [DIP-8]
Производитель: Infineon Technologies, IR2101PBF
Кол-во каналов 2
Напряжение питания, В 10…20
Логическое напряжение (VIL), В 0.8
Логическое напряжение (VIH), В 3
Пиковый выходной ток нарастания (Source), А 0.21
Пиковый выходной ток спада (Sink), А 0.36
Тип входа неинвертирующий
Номинальное время нарастания (Rise Time), нс 100
Номинальное время затухания (Fall Time), нс 50
Рабочая температура, °C -40…+150 (TJ)
Корпус DIP-8 (0.300 inch)
Тип управляемого затвора IGBT, N-CH MOSFET
Максимальное напряжение смещения, В 600

MOSFET, amp; Драйверы затвора IGBT, верхняя и нижняя стороны, Infineon ИС драйверов затвора от Infineon для управления силов…

IR2011SPBF, Драйвер ключей верхнего и нижнего уровней, [SO-8N]
IR2011SPBF, Драйвер ключей верхнего и нижнего уровней, [SO-8N]
Производитель: Infineon Technologies, IR2011SPBF
Кол-во каналов 2
Напряжение питания, В 10…20
Логическое напряжение (VIL), В 0.7
Логическое напряжение (VIH), В 2.2
Пиковый выходной ток нарастания (Source), А 1
Пиковый выходной ток спада (Sink), А 1
Тип входа инвертирующий
Номинальное время нарастания (Rise Time), нс 35
Номинальное время затухания (Fall Time), нс 20
Рабочая температура, °C -40…+150 (TJ)
Корпус soic-8 (0.154 inch)
Тип управляемого затвора N-CH MOSFET
Максимальное напряжение смещения, В 200

MOSFET, amp; Драйверы затвора IGBT, верхняя и нижняя стороны, Infineon ИС драйверов затвора от Infineon для управления силов…

IR2010SPBF, Драйвер ключей верхнего и нижнего уровней, [SO-16W]
IR2010SPBF, Драйвер ключей верхнего и нижнего уровней, [SO-16W]
Производитель: Infineon Technologies, IR2010SPBF
Кол-во каналов 2
Напряжение питания, В 10…20
Логическое напряжение (VIL), В 6
Логическое напряжение (VIH), В 9.5
Пиковый выходной ток нарастания (Source), А 3
Пиковый выходной ток спада (Sink), А 3
Тип входа неинвертирующий
Номинальное время нарастания (Rise Time), нс 10
Номинальное время затухания (Fall Time), нс 15
Рабочая температура, °C -40…+150 (TJ)
Корпус soic-16 (0.295 inch)
Тип управляемого затвора IGBT, N-CH MOSFET
Максимальное напряжение смещения, В 200

MOSFET, amp; Драйверы затвора IGBT, верхняя и нижняя стороны, Infineon ИС драйверов затвора от Infineon для управления силов…

IR2010PBF, Драйвер MOSFET/IGBT, неинвертируюший вход, 2-OUT, High и Low-Side, полумост [DIP-14]
IR2010PBF, Драйвер MOSFET/IGBT, неинвертируюший вход, 2-OUT, High и Low-Side, полумост [DIP-14]
Производитель: Infineon Technologies, IR2010PBF
Кол-во каналов 2
Напряжение питания, В 10…20
Логическое напряжение (VIL), В 6
Логическое напряжение (VIH), В 9.5
Пиковый выходной ток нарастания (Source), А 3
Пиковый выходной ток спада (Sink), А 3
Тип входа неинвертирующий
Номинальное время нарастания (Rise Time), нс 10
Номинальное время затухания (Fall Time), нс 15
Рабочая температура, °C -40…+150 (TJ)
Корпус dip-14 (0.300 inch)
Тип управляемого затвора IGBT, N-CH MOSFET
Максимальное напряжение смещения, В 200

MOSFET, amp; Драйверы затвора IGBT, верхняя и нижняя стороны, Infineon ИС драйверов затвора от Infineon для управления силов…

IR1167BSTRPBF, Интеллектуальный драйвер управления синхронным выпрямителем, [SOIC-8]
IR1167BSTRPBF, Интеллектуальный драйвер управления синхронным выпрямителем, [SOIC-8]
Производитель: Infineon Technologies, IR1167BSTRPBF
Кол-во каналов 1
Напряжение питания, В 12…18
Логическое напряжение (VIL), В 2
Логическое напряжение (VIH), В 2.15
Пиковый выходной ток нарастания (Source), А 2
Пиковый выходной ток спада (Sink), А 7
Тип входа неинвертирующий
Номинальное время нарастания (Rise Time), нс 18
Номинальное время затухания (Fall Time), нс 10
Рабочая температура, °C -25…+125 (TJ)
Корпус soic-8 (0.154 inch)
Тип управляемого затвора N-CH MOSFET

ИС драйвера синхронного выпрямителя, Infineon

IR11662STRPBF, Высокоскоростной полумостовой драйвер
IR11662STRPBF, Высокоскоростной полумостовой драйвер
Производитель: International Rectifier, IR11662STRPBF

IPS021L, Мощный полевой ключ с защитой [SOT-223]
IPS021L, Мощный полевой ключ с защитой [SOT-223]
Производитель: International Rectifier, IPS021L
Рабочая температура, °C -40…+150
Корпус SOT-223

HIP4082IPZ, Полумостовой драйвер, [DIP-16]
HIP4082IPZ, Полумостовой драйвер, [DIP-16]
Производитель: Intersil, HIP4082IPZ
Кол-во каналов 4
Напряжение питания, В 8.5…15
Логическое напряжение (VIL), В 1
Логическое напряжение (VIH), В 2.5
Пиковый выходной ток нарастания (Source), А 1.5
Пиковый выходной ток спада (Sink), А 1.5
Тип входа неинвертирующий
Номинальное время нарастания (Rise Time), нс 9
Номинальное время затухания (Fall Time), нс 9
Рабочая температура, °C -55…+150 (TJ)
Корпус dip-16 (0.300 inch)
Тип управляемого затвора N-CH MOSFET
Максимальное напряжение смещения, В 95

Полумостовые, полные мостовые и трехфазные драйверы, Intersil

HIP4082IBZT, Полумостовой драйвер, 80В, 1.25А пик [SO-16]
HIP4082IBZT, Полумостовой драйвер, 80В, 1.25А пик [SO-16]
Производитель: Intersil, HIP4082IBZT
Кол-во каналов 4
Напряжение питания, В 8.5…15
Логическое напряжение (VIL), В 1
Логическое напряжение (VIH), В 2.5
Пиковый выходной ток нарастания (Source), А 1.5
Пиковый выходной ток спада (Sink), А 1.5
Тип входа неинвертирующий
Номинальное время нарастания (Rise Time), нс 9
Номинальное время затухания (Fall Time), нс 9
Рабочая температура, °C -55…+150 (TJ)
Корпус SOIC-16 (0.154 inch)
Тип управляемого затвора N-CH MOSFET
Максимальное напряжение смещения, В 95

Корпус SO-16, Кол-во нижних каналов 2, Кол-во верхних каналов 2, Максимальное напряжение смещения 95 В, Максимальный выходной ток нарастания 1.4 А,…