IR2106SPBF, Драйвер ключей верхнего и нижнего уровней, [SO-8]
![IR2106SPBF, Драйвер ключей верхнего и нижнего уровней, [SO-8]](/file/p_img/1772467.jpg)
Производитель: Infineon Technologies, IR2106SPBF
Кол-во каналов | 2 |
Напряжение питания, В | 10…20 |
Логическое напряжение (VIL), В | 0.8 |
Логическое напряжение (VIH), В | 2.9 |
Пиковый выходной ток нарастания (Source), А | 0.2 |
Пиковый выходной ток спада (Sink), А | 0.35 |
Тип входа | неинвертирующий |
Номинальное время нарастания (Rise Time), нс | 150 |
Номинальное время затухания (Fall Time), нс | 50 |
Рабочая температура, °C | -40…+150 (TJ) |
Корпус | soic-8 (0.154 inch) |
Тип управляемого затвора | IGBT, N-CH MOSFET |
Максимальное напряжение смещения, В | 600 |
MOSFET, amp; Драйверы затвора IGBT, верхняя и нижняя стороны, Infineon ИС драйверов затвора от Infineon для управления силов…
IR2106PBF, Драйвер ключей верхнего и нижнего уровней
![IR2106PBF, Драйвер ключей верхнего и нижнего уровней](/file/p_img/1772466.jpg)
Производитель: International Rectifier, IR2106PBF
MOSFET, amp; Драйверы затвора IGBT, верхняя и нижняя стороны, Infineon ИС драйверов затвора от Infineon для управления силов…
IR2104STRPBF, Полумостовой драйвер HIGH/LOW SIDE [SOIC-8]
![IR2104STRPBF, Полумостовой драйвер HIGH/LOW SIDE [SOIC-8]](/file/p_img/1772465.jpg)
Производитель: Infineon Technologies, IR2104STRPBF
Кол-во каналов | 2 |
Напряжение питания, В | 10…20 |
Логическое напряжение (VIL), В | 0.8 |
Логическое напряжение (VIH), В | 3 |
Пиковый выходной ток нарастания (Source), А | 0.21 |
Пиковый выходной ток спада (Sink), А | 0.36 |
Тип входа | неинвертирующий |
Номинальное время нарастания (Rise Time), нс | 100 |
Номинальное время затухания (Fall Time), нс | 50 |
Рабочая температура, °C | -40…+150 (TJ) |
Корпус | soic-8 (0.154 inch) |
Тип управляемого затвора | IGBT, N-CH MOSFET |
Максимальное напряжение смещения, В | 600 |
Корпус SO-8, Кол-во нижних каналов 1, Кол-во верхних каналов 1, Максимальное напряжение смещения 600 В, Максимальный выходной ток нарастания 210 мА,…
IR2104SPBF, Полумостовой драйвер, [SO-8]
![IR2104SPBF, Полумостовой драйвер, [SO-8]](/file/p_img/1772464.jpg)
Производитель: Infineon Technologies, IR2104SPBF
Кол-во каналов | 2 |
Напряжение питания, В | 10…20 |
Логическое напряжение (VIL), В | 0.8 |
Логическое напряжение (VIH), В | 3 |
Пиковый выходной ток нарастания (Source), А | 0.21 |
Пиковый выходной ток спада (Sink), А | 0.36 |
Тип входа | неинвертирующий |
Номинальное время нарастания (Rise Time), нс | 100 |
Номинальное время затухания (Fall Time), нс | 50 |
Рабочая температура, °C | -40…+150 (TJ) |
Корпус | soic-8 (0.154 inch) |
Тип управляемого затвора | IGBT, N-CH MOSFET |
Максимальное напряжение смещения, В | 600 |
• Стойкость к переходным процессам с отрицательным напряжением• Блокировка по недостаточному напряжению• Логика предотвращения перекрестн…
IR2104PBF, Полумостовой драйвер, [DIP-8]
![IR2104PBF, Полумостовой драйвер, [DIP-8]](/file/p_img/1772463.jpg)
Производитель: Infineon Technologies, IR2104PBF
Кол-во каналов | 2 |
Напряжение питания, В | 10…20 |
Логическое напряжение (VIL), В | 0.8 |
Логическое напряжение (VIH), В | 3 |
Пиковый выходной ток нарастания (Source), А | 0.21 |
Пиковый выходной ток спада (Sink), А | 0.36 |
Тип входа | неинвертирующий |
Номинальное время нарастания (Rise Time), нс | 100 |
Номинальное время затухания (Fall Time), нс | 50 |
Рабочая температура, °C | -40…+150 (TJ) |
Корпус | DIP-8 (0.300 inch) |
Тип управляемого затвора | IGBT, N-CH MOSFET |
Максимальное напряжение смещения, В | 600 |
Корпус DIP-8, Кол-во нижних каналов 1, Кол-во верхних каналов 1, Максимальное напряжение смещения 600 В, Максимальный выходной ток нарастания 210 мА…
IR2103STRPBF, Драйвер FET-IGBT, [SO-8]
![IR2103STRPBF, Драйвер FET-IGBT, [SO-8]](/file/p_img/1772462.jpg)
Производитель: Infineon Technologies, IR2103STRPBF
Кол-во каналов | 2 |
Напряжение питания, В | 10…20 |
Логическое напряжение (VIL), В | 0.8 |
Логическое напряжение (VIH), В | 3 |
Пиковый выходной ток нарастания (Source), А | 0.21 |
Пиковый выходной ток спада (Sink), А | 0.36 |
Тип входа | Инвертирующий, Неинвертирующий |
Номинальное время нарастания (Rise Time), нс | 100 |
Номинальное время затухания (Fall Time), нс | 50 |
Рабочая температура, °C | -40…+150 (TJ) |
Корпус | soic-8 (0.154 inch) |
Тип управляемого затвора | IGBT, N-CH MOSFET |
Максимальное напряжение смещения, В | 600 |
Полумостовой драйвер затвора ИС инвертирующий, неинвертирующий 8-SOIC
IR2103PBF, Полумостовой драйвер, [DIP-8]
![IR2103PBF, Полумостовой драйвер, [DIP-8]](/file/p_img/1772461.jpg)
Производитель: Infineon Technologies, IR2103PBF
Кол-во каналов | 2 |
Напряжение питания, В | 10…20 |
Логическое напряжение (VIL), В | 0.8 |
Логическое напряжение (VIH), В | 3 |
Пиковый выходной ток нарастания (Source), А | 0.21 |
Пиковый выходной ток спада (Sink), А | 0.36 |
Тип входа | Инвертирующий, Неинвертирующий |
Номинальное время нарастания (Rise Time), нс | 100 |
Номинальное время затухания (Fall Time), нс | 50 |
Рабочая температура, °C | -40…+150 (TJ) |
Корпус | DIP-8 (0.300 inch) |
Тип управляемого затвора | IGBT, N-CH MOSFET |
Максимальное напряжение смещения, В | 600 |
IR2103PBF - это высоковольтный высокоскоростной силовой полевой МОП-транзистор и полумостовой драйвер IGBT с зависимыми выходными каналами высок…
IR2102SPBF, Драйвер ключей верхнего и нижнего уровней [SOIC-8]
![IR2102SPBF, Драйвер ключей верхнего и нижнего уровней [SOIC-8]](/file/p_img/1772460.jpg)
Производитель: Infineon Technologies, IR2102SPBF
Кол-во каналов | 2 |
Напряжение питания, В | 10…20 |
Логическое напряжение (VIL), В | 0.8 |
Логическое напряжение (VIH), В | 3 |
Пиковый выходной ток нарастания (Source), А | 0.21 |
Пиковый выходной ток спада (Sink), А | 0.36 |
Тип входа | инвертирующий |
Номинальное время нарастания (Rise Time), нс | 100 |
Номинальное время затухания (Fall Time), нс | 50 |
Рабочая температура, °C | -40…+150 (TJ) |
Корпус | soic-8 (0.154 inch) |
Тип управляемого затвора | IGBT, N-CH MOSFET |
Максимальное напряжение смещения, В | 600 |
Корпус SO-8, Кол-во нижних каналов 1, Кол-во верхних каналов 1, Максимальное напряжение смещения 600 В, Максимальный выходной ток нарастания 210 мА,…
IR2102PBF, Драйвер ключей верхнего и нижнего уровней, [DIP-8]
![IR2102PBF, Драйвер ключей верхнего и нижнего уровней, [DIP-8]](/file/p_img/1772459.jpg)
Производитель: Infineon Technologies, IR2102PBF
Кол-во каналов | 2 |
Напряжение питания, В | 10…20 |
Логическое напряжение (VIL), В | 0.8 |
Логическое напряжение (VIH), В | 3 |
Пиковый выходной ток нарастания (Source), А | 0.21 |
Пиковый выходной ток спада (Sink), А | 0.36 |
Тип входа | инвертирующий |
Номинальное время нарастания (Rise Time), нс | 100 |
Номинальное время затухания (Fall Time), нс | 50 |
Рабочая температура, °C | -40…+150 (TJ) |
Корпус | DIP-8 (0.300 inch) |
Тип управляемого затвора | IGBT, N-CH MOSFET |
Максимальное напряжение смещения, В | 600 |
DRIVER, MOSFET, HIGH/LOW SIDE, 2102 Driver IC Type High and Low Side Outputs, No. of 2 Voltage, Output 620V Output Current 210mA Power, Dissipation…
IR2101STRPBF, Драйвер ключей верхнего и нижнего уровней [SOIC-8]
![IR2101STRPBF, Драйвер ключей верхнего и нижнего уровней [SOIC-8]](/file/p_img/1772458.jpg)
Производитель: Infineon Technologies, IR2101STRPBF
Кол-во каналов | 2 |
Напряжение питания, В | 10…20 |
Логическое напряжение (VIL), В | 0.8 |
Логическое напряжение (VIH), В | 3 |
Пиковый выходной ток нарастания (Source), А | 0.21 |
Пиковый выходной ток спада (Sink), А | 0.36 |
Тип входа | неинвертирующий |
Номинальное время нарастания (Rise Time), нс | 100 |
Номинальное время затухания (Fall Time), нс | 50 |
Рабочая температура, °C | -40…+150 (TJ) |
Корпус | soic-8 (0.154 inch) |
Тип управляемого затвора | IGBT, N-CH MOSFET |
Максимальное напряжение смещения, В | 600 |
MOSFET, amp; Драйверы затвора IGBT, верхняя и нижняя стороны, Infineon ИС драйверов затвора от Infineon для управления силов…