Микросхемы - Драйверы MOSFET и IGBT - купить, сравнить


Драйверы MOSFET и IGBT

IR2106SPBF, Драйвер ключей верхнего и нижнего уровней, [SO-8]
IR2106SPBF, Драйвер ключей верхнего и нижнего уровней, [SO-8]
Производитель: Infineon Technologies, IR2106SPBF
Кол-во каналов 2
Напряжение питания, В 10…20
Логическое напряжение (VIL), В 0.8
Логическое напряжение (VIH), В 2.9
Пиковый выходной ток нарастания (Source), А 0.2
Пиковый выходной ток спада (Sink), А 0.35
Тип входа неинвертирующий
Номинальное время нарастания (Rise Time), нс 150
Номинальное время затухания (Fall Time), нс 50
Рабочая температура, °C -40…+150 (TJ)
Корпус soic-8 (0.154 inch)
Тип управляемого затвора IGBT, N-CH MOSFET
Максимальное напряжение смещения, В 600

MOSFET, amp; Драйверы затвора IGBT, верхняя и нижняя стороны, Infineon ИС драйверов затвора от Infineon для управления силов…

IR2106PBF, Драйвер ключей верхнего и нижнего уровней
IR2106PBF, Драйвер ключей верхнего и нижнего уровней
Производитель: International Rectifier, IR2106PBF

MOSFET, amp; Драйверы затвора IGBT, верхняя и нижняя стороны, Infineon ИС драйверов затвора от Infineon для управления силов…

IR2104STRPBF, Полумостовой драйвер HIGH/LOW SIDE [SOIC-8]
IR2104STRPBF, Полумостовой драйвер HIGH/LOW SIDE [SOIC-8]
Производитель: Infineon Technologies, IR2104STRPBF
Кол-во каналов 2
Напряжение питания, В 10…20
Логическое напряжение (VIL), В 0.8
Логическое напряжение (VIH), В 3
Пиковый выходной ток нарастания (Source), А 0.21
Пиковый выходной ток спада (Sink), А 0.36
Тип входа неинвертирующий
Номинальное время нарастания (Rise Time), нс 100
Номинальное время затухания (Fall Time), нс 50
Рабочая температура, °C -40…+150 (TJ)
Корпус soic-8 (0.154 inch)
Тип управляемого затвора IGBT, N-CH MOSFET
Максимальное напряжение смещения, В 600

Корпус SO-8, Кол-во нижних каналов 1, Кол-во верхних каналов 1, Максимальное напряжение смещения 600 В, Максимальный выходной ток нарастания 210 мА,…

IR2104SPBF, Полумостовой драйвер, [SO-8]
IR2104SPBF, Полумостовой драйвер, [SO-8]
Производитель: Infineon Technologies, IR2104SPBF
Кол-во каналов 2
Напряжение питания, В 10…20
Логическое напряжение (VIL), В 0.8
Логическое напряжение (VIH), В 3
Пиковый выходной ток нарастания (Source), А 0.21
Пиковый выходной ток спада (Sink), А 0.36
Тип входа неинвертирующий
Номинальное время нарастания (Rise Time), нс 100
Номинальное время затухания (Fall Time), нс 50
Рабочая температура, °C -40…+150 (TJ)
Корпус soic-8 (0.154 inch)
Тип управляемого затвора IGBT, N-CH MOSFET
Максимальное напряжение смещения, В 600

• Стойкость к переходным процессам с отрицательным напряжением• Блокировка по недостаточному напряжению• Логика предотвращения перекрестн…

IR2104PBF, Полумостовой драйвер, [DIP-8]
IR2104PBF, Полумостовой драйвер, [DIP-8]
Производитель: Infineon Technologies, IR2104PBF
Кол-во каналов 2
Напряжение питания, В 10…20
Логическое напряжение (VIL), В 0.8
Логическое напряжение (VIH), В 3
Пиковый выходной ток нарастания (Source), А 0.21
Пиковый выходной ток спада (Sink), А 0.36
Тип входа неинвертирующий
Номинальное время нарастания (Rise Time), нс 100
Номинальное время затухания (Fall Time), нс 50
Рабочая температура, °C -40…+150 (TJ)
Корпус DIP-8 (0.300 inch)
Тип управляемого затвора IGBT, N-CH MOSFET
Максимальное напряжение смещения, В 600

Корпус DIP-8, Кол-во нижних каналов 1, Кол-во верхних каналов 1, Максимальное напряжение смещения 600 В, Максимальный выходной ток нарастания 210 мА…

IR2103STRPBF, Драйвер FET-IGBT, [SO-8]
IR2103STRPBF, Драйвер FET-IGBT, [SO-8]
Производитель: Infineon Technologies, IR2103STRPBF
Кол-во каналов 2
Напряжение питания, В 10…20
Логическое напряжение (VIL), В 0.8
Логическое напряжение (VIH), В 3
Пиковый выходной ток нарастания (Source), А 0.21
Пиковый выходной ток спада (Sink), А 0.36
Тип входа Инвертирующий, Неинвертирующий
Номинальное время нарастания (Rise Time), нс 100
Номинальное время затухания (Fall Time), нс 50
Рабочая температура, °C -40…+150 (TJ)
Корпус soic-8 (0.154 inch)
Тип управляемого затвора IGBT, N-CH MOSFET
Максимальное напряжение смещения, В 600

Полумостовой драйвер затвора ИС инвертирующий, неинвертирующий 8-SOIC

IR2103PBF, Полумостовой драйвер, [DIP-8]
IR2103PBF, Полумостовой драйвер, [DIP-8]
Производитель: Infineon Technologies, IR2103PBF
Кол-во каналов 2
Напряжение питания, В 10…20
Логическое напряжение (VIL), В 0.8
Логическое напряжение (VIH), В 3
Пиковый выходной ток нарастания (Source), А 0.21
Пиковый выходной ток спада (Sink), А 0.36
Тип входа Инвертирующий, Неинвертирующий
Номинальное время нарастания (Rise Time), нс 100
Номинальное время затухания (Fall Time), нс 50
Рабочая температура, °C -40…+150 (TJ)
Корпус DIP-8 (0.300 inch)
Тип управляемого затвора IGBT, N-CH MOSFET
Максимальное напряжение смещения, В 600

IR2103PBF - это высоковольтный высокоскоростной силовой полевой МОП-транзистор и полумостовой драйвер IGBT с зависимыми выходными каналами высок…

IR2102SPBF, Драйвер ключей верхнего и нижнего уровней [SOIC-8]
IR2102SPBF, Драйвер ключей верхнего и нижнего уровней [SOIC-8]
Производитель: Infineon Technologies, IR2102SPBF
Кол-во каналов 2
Напряжение питания, В 10…20
Логическое напряжение (VIL), В 0.8
Логическое напряжение (VIH), В 3
Пиковый выходной ток нарастания (Source), А 0.21
Пиковый выходной ток спада (Sink), А 0.36
Тип входа инвертирующий
Номинальное время нарастания (Rise Time), нс 100
Номинальное время затухания (Fall Time), нс 50
Рабочая температура, °C -40…+150 (TJ)
Корпус soic-8 (0.154 inch)
Тип управляемого затвора IGBT, N-CH MOSFET
Максимальное напряжение смещения, В 600

Корпус SO-8, Кол-во нижних каналов 1, Кол-во верхних каналов 1, Максимальное напряжение смещения 600 В, Максимальный выходной ток нарастания 210 мА,…

IR2102PBF, Драйвер ключей верхнего и нижнего уровней, [DIP-8]
IR2102PBF, Драйвер ключей верхнего и нижнего уровней, [DIP-8]
Производитель: Infineon Technologies, IR2102PBF
Кол-во каналов 2
Напряжение питания, В 10…20
Логическое напряжение (VIL), В 0.8
Логическое напряжение (VIH), В 3
Пиковый выходной ток нарастания (Source), А 0.21
Пиковый выходной ток спада (Sink), А 0.36
Тип входа инвертирующий
Номинальное время нарастания (Rise Time), нс 100
Номинальное время затухания (Fall Time), нс 50
Рабочая температура, °C -40…+150 (TJ)
Корпус DIP-8 (0.300 inch)
Тип управляемого затвора IGBT, N-CH MOSFET
Максимальное напряжение смещения, В 600

DRIVER, MOSFET, HIGH/LOW SIDE, 2102 Driver IC Type High and Low Side Outputs, No. of 2 Voltage, Output 620V Output Current 210mA Power, Dissipation…

IR2101STRPBF, Драйвер ключей верхнего и нижнего уровней [SOIC-8]
IR2101STRPBF, Драйвер ключей верхнего и нижнего уровней [SOIC-8]
Производитель: Infineon Technologies, IR2101STRPBF
Кол-во каналов 2
Напряжение питания, В 10…20
Логическое напряжение (VIL), В 0.8
Логическое напряжение (VIH), В 3
Пиковый выходной ток нарастания (Source), А 0.21
Пиковый выходной ток спада (Sink), А 0.36
Тип входа неинвертирующий
Номинальное время нарастания (Rise Time), нс 100
Номинальное время затухания (Fall Time), нс 50
Рабочая температура, °C -40…+150 (TJ)
Корпус soic-8 (0.154 inch)
Тип управляемого затвора IGBT, N-CH MOSFET
Максимальное напряжение смещения, В 600

MOSFET, amp; Драйверы затвора IGBT, верхняя и нижняя стороны, Infineon ИС драйверов затвора от Infineon для управления силов…