EL

ST Microelectronics, Электронные компоненты/Транзисторы/Биполярные с изолированным затвором (IGBTs) - цена, информация

STGW60V60DF, Транзистор IGBT, N-канальный, 600 В, 80 А, 375 Вт, [TO-247]
STGW60V60DF, Транзистор IGBT, N-канальный, 600 В, 80 А, 375 Вт, [TO-247]
Производитель: ST Microelectronics, STGW60V60DF
Максимальное напряжение КЭ ,В 600
Напряжение насыщения при номинальном токе, В 2.3
Корпус to-247
Технология/семейство trench and fieldstop
Наличие встроенного диода да
Максимальный ток КЭ при 25°C, A 80
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт 375
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс 208
Рабочая температура (Tj), °C -55…+175
Импульсный ток коллектора (Icm), А 240
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс 60

Тип упаковки-Tube (туба); Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 80 А, 375 Вт Корпус TO-247-3, Напряжение К-Э максимальное 600 В, Ток коллектора ма…

STGW60H65DRF, Транзистор
Производитель: ST Microelectronics, STGW60H65DRF

STGW50NC60W, IGBT транзистор
Производитель: ST Microelectronics, STGW50NC60W

STGW40V60DF, Транзистор IGBT 600V 80A 283W, [TO-247]
STGW40V60DF, Транзистор IGBT 600V 80A 283W, [TO-247]
Производитель: ST Microelectronics, STGW40V60DF
Максимальное напряжение КЭ ,В 600
Напряжение насыщения при номинальном токе, В 2.3
Корпус to-247
Технология/семейство trench and fieldstop
Наличие встроенного диода да
Максимальный ток КЭ при 25°C, A 80
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт 283
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс 208
Рабочая температура (Tj), °C -55…+175
Импульсный ток коллектора (Icm), А 160
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс 52

Тип упаковки-Tube (туба); Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 80 А, 283 Вт Корпус TO-247-3, Напряжение К-Э максимальное 600 В, Ток коллектора ма…

STGW40NC60WD, Транзистьор IGBT 600В 70А 250Вт [TO-247]
STGW40NC60WD, Транзистьор IGBT 600В 70А 250Вт [TO-247]
Производитель: ST Microelectronics, STGW40NC60WD

STGW38IH130D, IGBT, 1300V, 63A, 250W, [TO-247]
STGW38IH130D, IGBT, 1300V, 63A, 250W, [TO-247]
Производитель: ST Microelectronics, STGW38IH130D
Максимальное напряжение КЭ ,В 1300
Напряжение насыщения при номинальном токе, В 2.8
Корпус to-247
Технология/семейство powermesh
Наличие встроенного диода да
Максимальный ток КЭ при 25°C, A 63
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт 250
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс 284
Рабочая температура (Tj), °C -55…+150
Импульсный ток коллектора (Icm), А 125

STGW35HF60WD, IGBT 600В 60А 200Вт, [TO-247]
STGW35HF60WD, IGBT 600В 60А 200Вт, [TO-247]
Производитель: ST Microelectronics, STGW35HF60WD
Максимальное напряжение КЭ ,В 600
Напряжение насыщения при номинальном токе, В 2.5
Корпус to-247
Технология/семейство hf, planar
Наличие встроенного диода да
Максимальный ток КЭ при 25°C, A 60
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт 200
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс 175
Рабочая температура (Tj), °C -55…+150
Импульсный ток коллектора (Icm), А 150
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс 30

Дискретные БТИЗ, STMicroelectronics

STGW30NC60WD, Транзистор IGBT, 600В, 60А, 200Вт [TO-247]
STGW30NC60WD, Транзистор IGBT, 600В, 60А, 200Вт [TO-247]
Производитель: ST Microelectronics, STGW30NC60WD

Дискретные БТИЗ, STMicroelectronics

STGW30NC120HD, Транзистор IGBT 1200В 60А [TO-247-3]
STGW30NC120HD, Транзистор IGBT 1200В 60А [TO-247-3]
Производитель: ST Microelectronics, STGW30NC120HD

Дискретные БТИЗ, STMicroelectronics

STGW19NC60HD, Транзистор IGBT, 600В, 42А, 140Вт [TO-247]
STGW19NC60HD, Транзистор IGBT, 600В, 42А, 140Вт [TO-247]
Производитель: ST Microelectronics, STGW19NC60HD
Максимальное напряжение КЭ ,В 600
Напряжение насыщения при номинальном токе, В 2.5
Корпус to-220
Технология/семейство powermesh
Наличие встроенного диода да
Максимальный ток КЭ при 25°C, A 42
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт 140
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс 97
Рабочая температура (Tj), °C -55…+150
Импульсный ток коллектора (Icm), А 60
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс 25