MPS2222AG (2N2222A), Транзистор NPN 40В 0.6А TO-92
Производитель: ON Semiconductor, MPS2222AG (2N2222A)
| Структура | npn |
| Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 60 |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 0.8 |
| Статический коэффициент передачи тока h21э мин | 50 |
| Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 0.5 |
| Корпус | to-92 |
| Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц | 300 |
2N2222A metal, Транзистор NPN 75В 0.6А [TO-18]
![2N2222A metal, Транзистор NPN 75В 0.6А [TO-18]](/file/p_img/1749015.jpg)
Производитель: Нет торговой марки, 2N2222A metal
| Структура | npn |
| Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 40 |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 0.8 |
| Статический коэффициент передачи тока h21э мин | 50 |
| Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 0.4 |
| Корпус | to-18 |
| Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц | 250 |
2N2219A, Транзистор NPN 75В 0.6А [TO-39]
![2N2219A, Транзистор NPN 75В 0.6А [TO-39]](/file/p_img/1749014.jpg)
Производитель: Central Semiconductor Corp, 2N2219A
| Структура | npn |
| Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 40 |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 0.8 |
| Статический коэффициент передачи тока h21э мин | 300 |
| Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 0.8 |
| Корпус | TO-39 |
| Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц | 300 |
2N2219A, Транзистор NPN 75В 0.6А [TO-39]
![2N2219A, Транзистор NPN 75В 0.6А [TO-39]](/file/p_img/1749013.jpg)
Производитель: ST Microelectronics, 2N2219A
| Структура | npn |
| Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 50 |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 0.8 |
| Статический коэффициент передачи тока h21э мин | 75 |
| Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 0.8 |
| Корпус | TO-39 |
| Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц | 300 |
2N2102, Биполярный транзистор, NPN, 65 В, 60 МГц, 800 мВт, 1 А, 40 hFE [TO-39]
![2N2102, Биполярный транзистор, NPN, 65 В, 60 МГц, 800 мВт, 1 А, 40 hFE [TO-39]](/file/p_img/1749012.jpg)
Производитель: Multicomp, 2N2102
| Структура | npn |
| Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 65 |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 1 |
| Статический коэффициент передачи тока h21э мин | 40 |
| Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 1 |
| Корпус | TO-39 |
| Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц | 60 |
2N2102 - это кремниевый NPN-транзистор на 65 В, предназначенный в первую очередь для усилителей и коммутационных устройств. • Высокое…
2N1711, Транзистор BJT NPN 50В 0.5А 3Вт [TO-39]
![2N1711, Транзистор BJT NPN 50В 0.5А 3Вт [TO-39]](/file/p_img/1749011.jpg)
Производитель: Central Semiconductor Corp, 2N1711
| Структура | npn |
| Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 50 |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 0.6 |
| Статический коэффициент передачи тока h21э мин | 100 |
| Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 0.8 |
| Корпус | TO-39 |
| Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц | 70 |
2N1711, Транзистор NPN 75В 0.5А [TO-39]
![2N1711, Транзистор NPN 75В 0.5А [TO-39]](/file/p_img/1749010.jpg)
Производитель: ST Microelectronics, 2N1711
| Структура | npn |
| Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 50 |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 0.6 |
| Статический коэффициент передачи тока h21э мин | 100 |
| Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 0.8 |
| Корпус | TO-39 |
| Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц | 70 |
2DB1184Q-13, Транзистор PNP 50V 3A Automotive [D-PAK]
![2DB1184Q-13, Транзистор PNP 50V 3A Automotive [D-PAK]](/file/p_img/1748905.jpg)
Производитель: Diodes Incorporated, 2DB1184Q-13
| Структура | pnp |
| Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 50 |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 3 |
| Статический коэффициент передачи тока h21э мин | 120 |
| Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 15 |
| Корпус | dpak(to-252) |
| Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц | 110 |
Биполярные транзисторы - BJT PNP 2.5K BIPOLAR
1Т308Б
Производитель: Россия
| Структура | pnp |
| Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 20 |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 0.05 |
| Статический коэффициент передачи тока h21э мин | 50 |
| Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 0.15 |
| Корпус | т-10 |
| Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц | 120 |
1НТ251 никель (201*г), Транзисторная сборка из 4-х NPN транзисторов [металл]
![1НТ251 никель (201*г), Транзисторная сборка из 4-х NPN транзисторов [металл]](/file/p_img/1748233.jpg)
Производитель: Россия, 1НТ251 никель (201*г)
| Структура | 4 х npn |
| Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 45 |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 0.4 |
| Статический коэффициент передачи тока h21э мин | 30 |
| Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 0.4 |
| Корпус | 401.14-6 |
| Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц | 200 |