EL

Транзисторы - Биполярные (BJTs) - купить, сравнить

Биполярные (BJTs)

ZTX653, Транзистор NPN 100В 2A E-LINE [TO-92-3]
ZTX653, Транзистор NPN 100В 2A E-LINE [TO-92-3]
Производитель: Diodes Incorporated, ZTX653

NPN-транзисторы общего назначения, более 1,5 А, Diodes Inc.

ZTX651, Транзистор NPN 60В 2А E-LINE [TO-92-3]
ZTX651, Транзистор NPN 60В 2А E-LINE [TO-92-3]
Производитель: Diodes Incorporated, ZTX651

NPN-транзисторы общего назначения, более 1,5 А, Diodes Inc.

UMX1NTN, Транзистор 2NPN 50V 0.15A [UMT-6]
UMX1NTN, Транзистор 2NPN 50V 0.15A [UMT-6]
Производитель: Rohm, UMX1NTN
Структура 2 x npn
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 50
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 0.15
Статический коэффициент передачи тока h21э мин 120…260
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт 0.15
Корпус sot-363(umt-6)
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц 180

Биполярный (BJT) транзисторный массив 2 NPN (двойной) 50 В 150 мА 180 МГц 150 мВт UMT6 для поверхностного монтажа

UMH3NTN, Цифровой транзистор 2-NPN 0.15Вт [UMT6 / SOT-363]
UMH3NTN, Цифровой транзистор 2-NPN 0.15Вт [UMT6 / SOT-363]
Производитель: Rohm, UMH3NTN

Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения DUAL NPN 50V 100MA SOT-363

TTA1943(Q), Транзистор PNP 230В 15А [2-21F1A]
TTA1943(Q), Транзистор PNP 230В 15А [2-21F1A]
Производитель: Toshiba, TTA1943(Q)
Структура pnp
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 200
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 15
Статический коэффициент передачи тока h21э мин 80
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт 150
Корпус TO-264
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц 30

TTA1943 является эпитаксиальным PNP транзистором сквозного монтажа от компании Toshiba в корпусе TO-3. Это устройство обычно используется для уси…

TT2202, Биполярный транзистор, NPN, 800 В, 10 А, 80 Вт [TO3PMLH]
TT2202, Биполярный транзистор, NPN, 800 В, 10 А, 80 Вт [TO3PMLH]
Производитель: Sanyo, TT2202
Структура npn с резистором и диодом
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 800
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 10
Статический коэффициент передачи тока h21э мин 5…8
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт 3
Корпус to-3pmlh

TT2140, Транзистор, [TO-220FI(LS) Formed pins]
TT2140, Транзистор, [TO-220FI(LS) Formed pins]
Производитель: Sanyo, TT2140
Структура npn с резистором и диодом
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 800
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 6
Статический коэффициент передачи тока h21э мин 10
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт 30
Корпус to-220fi(ls)

TIP50, Транзистор NPN 400В 1А [TO-220AB]
TIP50, Транзистор NPN 400В 1А [TO-220AB]
Производитель: ST Microelectronics, TIP50
Структура npn
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 400
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 1
Статический коэффициент передачи тока h21э мин 30
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт 40
Корпус to-220
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц 10

Высоковольтные транзисторы, STMicroelectronics

TIP47, Транзистор NPN 250В 1А 40Вт 10МГц [TO-220SG]
TIP47, Транзистор NPN 250В 1А 40Вт 10МГц [TO-220SG]
Производитель: Fairchild Semiconductor, TIP47
Структура npn
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 250
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 1
Статический коэффициент передачи тока h21э мин 30
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт 40
Корпус to-220sg
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц 10

TIP47, Транзистор NPN 250В 1А 40Вт 10МГц [TO-220]
TIP47, Транзистор NPN 250В 1А 40Вт 10МГц [TO-220]
Производитель: ST Microelectronics, TIP47
Структура npn
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 250
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 1
Статический коэффициент передачи тока h21э мин 30
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт 40
Корпус to-220
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц 10

Высоковольтные транзисторы, STMicroelectronics