ZXTP25020CFHTA, Транзистор PNP, биполярный, 20В, 4А, 1,81Вт, SOT23, Diodes Incorporated - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 190 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы биполярные\Транзисторы биполярные одинарные\Транзисторы PNP SMD

Транзисторы общего назначения PNP, более 1,5 А, Diodes Inc.

Информация

Производитель

Diodes Incorporated

Артикул

ZXTP25020CFHTA

Категория

Биполярные (BJTs)

Номенклатурный номер

2135363

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+150 °C

Полярность Транзистора

PNP

Вес, г

0.1

Number of Elements per Chip

Transistor Configuration

Одинарный

Pin Count

Minimum DC Current Gain

150@1A@2V|85@4A@2V|200@10mA@2V

Максимальное напряжение коллектор-база

-25 V

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Тип транзистора

PNP

Размеры

3.04 x 1.4 x 1.02мм

Pd - рассеивание мощности

1.81 W

Вид монтажа

SMD/SMT

Высота

1.02мм

Длина

3.04мм

Категория продукта

Биполярные транзисторы - BJT

Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)

Конфигурация

Single

Максимальный постоянный ток коллектора

4 A

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Напряжение коллектор-база (VCBO)

25 V

Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.

20 V

Напряжение эмиттер-база (VEBO)

7 V

Непрерывный коллекторный ток

4 A

Подкатегория

Transistors

Размер фабричной упаковки

3000

Серия

ZXTP25020

Тип продукта

BJTs - Bipolar Transistors

Торговая марка

Diodes Incorporated

Упаковка / блок

SOT-23-3

Ширина

1.4мм

Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.

500

Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)

285 MHz

Технология

Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер

0,21 В

Количество элементов на ИС

Максимальное рассеяние мощности

1.81 W

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер

150 mV

EU RoHS

Compliant

ECCN (US)

EAR99

Part Status

Active

HTS

8541.29.00.95

Type

PNP

Product Category

Bipolar Power

Configuration

Single

Maximum Collector Base Voltage (V)

Maximum Collector-Emitter Voltage (V)

Maximum Emitter Base Voltage (V)

Maximum Base Emitter Saturation Voltage (V)

1.05@200mA@4A

Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V)

0.17@40mA@2A|0.21@200mA@4A|0.1@20mA@1A|0.055@100mA@1A

Maximum DC Collector Current (A)

Maximum Power Dissipation (mW)

1810

Maximum Transition Frequency (MHz)

285(Typ)

Minimum Operating Temperature (°C)

-55

Maximum Operating Temperature (°C)

150

Packaging

Tape and Reel

Automotive

Yes

Standard Package Name

SOT-23

Supplier Package

SOT-23

Military

Mounting

Surface Mount

Package Height

1.02(Max)

Package Length

3.04(Max)

Package Width

1.4(Max)

PCB changed

Lead Shape

Gull-wing

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

20 V

Максимальный пост. ток коллектора

4 А

Максимальное напряжение эмиттер-база

7 В

Максимальная рабочая частота

285 МГц

Число контактов

Тип корпуса

SOT-23

Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер

1,05 В

Производитель

DiodesZetex

Минимальный коэффициент усиления по постоянному току

85В перем. тока

AEC Qualified Number

AEC-Q101

Техническая документация

Datasheet ZXTP25020CFHTA , pdf , 414 КБ
Datasheet ZXTP25020CFHTA , pdf , 419 КБ
Datasheet , pdf , 427 КБ

ZXTP25020CFHTA, Транзистор PNP, биполярный, 20В, 4А, 1,81Вт, SOT23 - характеристики, поставщики

Последняя цена 190 руб.

Техническая документация