ZXTN2011ZTA, Транзистор NPN, биполярный, 100В, 4,5А, 2,1Вт, SOT89, Diodes Incorporated - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 190 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы биполярные\Транзисторы биполярные одинарные\Транзисторы NPN SMD

NPN-транзисторы общего назначения, более 1,5 А, Diodes Inc.

Информация

Производитель

Diodes Incorporated

Артикул

ZXTN2011ZTA

Категория

Биполярные (BJTs)

Номенклатурный номер

2158387

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+150 °C

Полярность Транзистора

NPN

Вес, г

0.1

Transistor Type

NPN

Number of Elements per Chip

Transistor Configuration

Одинарный

Maximum DC Collector Current

4.5A

Pin Count

Minimum DC Current Gain

100@2A@2V|30@5A@2V|10@10A@2V|100@10mA@2V

Collector-Emitter Breakdown Voltage

100V

Pd - Power Dissipation

2.1W

Максимальное напряжение коллектор-база

200 В

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Тип транзистора

NPN

Размеры

4.6 x 2.6 x 1.6мм

Pd - рассеивание мощности

2100 mW

Вид монтажа

SMD/SMT

Высота

1.6мм

Длина

4.6мм

Категория продукта

Биполярные транзисторы - BJT

Конфигурация

Single

Максимальный постоянный ток коллектора

4.5 A

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Напряжение коллектор-база (VCBO)

200 V

Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.

100 V

Напряжение эмиттер-база (VEBO)

7 V

Непрерывный коллекторный ток

4.5 A

Подкатегория

Transistors

Размер фабричной упаковки

1000

Серия

ZXTN2011

Тип продукта

BJTs - Bipolar Transistors

Торговая марка

Diodes Incorporated

Упаковка / блок

SOT-89-3

Ширина

2.6мм

Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)

130 MHz

Технология

Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер

195 мВ

Количество элементов на ИС

Максимальное рассеяние мощности

1,5 Вт

EU RoHS

Compliant with Exemption

ECCN (US)

EAR99

Part Status

Active

HTS

8541.21.00.75

Type

NPN

Product Category

Bipolar Power

Configuration

Single

Maximum Collector Base Voltage (V)

200

Maximum Collector-Emitter Voltage (V)

100

Maximum Emitter Base Voltage (V)

Maximum Base Emitter Saturation Voltage (V)

1.1@500mA@5A

Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V)

0.03@5mA@0.1A|0.06@100mA@1A|0.115@100mA@2A|0.195@500mA@5A

Maximum DC Collector Current (A)

4.5

Maximum Power Dissipation (mW)

2100

Maximum Transition Frequency (MHz)

130(Typ)

Minimum Operating Temperature (°C)

-55

Maximum Operating Temperature (°C)

150

Packaging

Tape and Reel

Automotive

Standard Package Name

SOT

Supplier Package

SOT-89

Military

Mounting

Surface Mount

Package Height

1.6(Max)

Package Length

4.6(Max)

Package Width

2.6(Max)

PCB changed

Tab

Lead Shape

Flat

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

100 В

Максимальный пост. ток коллектора

4.5 A

Максимальное напряжение эмиттер-база

7 V

Максимальная рабочая частота

130 МГц

Число контактов

Тип корпуса

SOT-89

Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер

1100 мВ

Производитель

DiodesZetex

Минимальный коэффициент усиления по постоянному току

300

Техническая документация

Datasheet ZXTN2011ZTA , pdf , 251 КБ
Datasheet ZXTN2011ZTA , pdf , 246 КБ
Datasheet , pdf , 251 КБ

ZXTN2011ZTA, Транзистор NPN, биполярный, 100В, 4,5А, 2,1Вт, SOT89 - характеристики, поставщики

Последняя цена 190 руб.

Техническая документация