ZXMS6005DT8TA, Двойной МОП-транзистор, N Канал, 60 В, 1.8 А, 0.15 Ом, SOT-223, Surface Mount, Diodes Incorporated - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 430 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Двойные МОП-транзисторы

• Компактный двойной корпус
• Низкий входной ток
• Вход логического уровня
• Защита от короткого замыкания с автоматическим перезапуском
• Тепловое отключение с автоматическим перезапуском
• Высокий номинальный постоянный ток
• Безгалогеновое, зеленое устройство
• UL94V-0 Рейтинг воспламеняемости

Информация

Производитель

Diodes Incorporated

Артикул

ZXMS6005DT8TA

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

1428573

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

150 C

Количество Выводов

8вывод(-ов)

Стиль Корпуса Транзистора

SOT-223

Рассеиваемая Мощность

1.16Вт

Полярность Транзистора

Двойной N Канал

Напряжение Истока-стока Vds

60В

Непрерывный Ток Стока

1.8А

Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)

0.15Ом

Напряжение Измерения Rds(on)

5в

Пороговое Напряжение Vgs

1В

Вес, г

0.454

Минимальная рабочая температура

40 C

Id - непрерывный ток утечки

1.8 A

Pd - рассеивание мощности

2.13 W

Rds Вкл - сопротивление сток-исток

150 mOhms

Vds - напряжение пробоя сток-исток

60 V

Vgs - напряжение затвор-исток

5 V, + 5 V

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток

700 mV

Вид монтажа

SMD/SMT

Время нарастания

14 us, 14 us

Время спада

19 us, 19 us

Канальный режим

Enhancement

Категория продукта

МОП-транзистор

Количество каналов

2 Channel

Коммерческое обозначение

IntelliFET

Конфигурация

Dual

Подкатегория

MOSFETs

Размер фабричной упаковки

1000

Серия

ZXMS600

Технология

Тип продукта

MOSFET

Тип транзистора

2 N-Channel

Типичное время задержки выключения

34 us, 34 us

Типичное время задержки при включении

6 us, 6 us

Торговая марка

Diodes Incorporated

Упаковка / блок

SM-8

Продукт

MOSFET Small Signal

Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C

1.8A

Power Dissipation-Max (Ta=25В°C)

2.13W

Rds On - Drain-Source Resistance

200mО© @ 1A,5V

Transistor Polarity

2 N Channel(Double)

Vds - Drain-Source Breakdown Voltage

60V

Техническая документация

Datasheet ZXMS6005DT8TA , pdf , 359 КБ
Datasheet ZXMS6005DT8TA , pdf , 348 КБ

ZXMS6005DT8TA, Двойной МОП-транзистор, N Канал, 60 В, 1.8 А, 0.15 Ом, SOT-223, Surface Mount - характеристики, поставщики

Последняя цена 430 руб.

Техническая документация