ZXMN6A11DN8TA, Двойной МОП-транзистор, N Канал, 60 В, 3.2 А, 0.18 Ом, SOIC, Surface Mount, Diodes Incorporated - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 190 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Двойные МОП-транзисторы

• Низкое сопротивление при открытии
• Высокая скорость переключения
• Низкий порог
• Низкий привод затвора
• Низкий профиль

Информация

Производитель

Diodes Incorporated

Артикул

ZXMN6A11DN8TA

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

1428550

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

150 C

Количество Выводов

8вывод(-ов)

Стиль Корпуса Транзистора

SOIC

Рассеиваемая Мощность

2.1Вт

Полярность Транзистора

N Канал

Напряжение Истока-стока Vds

60В

Непрерывный Ток Стока

3.2А

Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)

0.18Ом

Напряжение Измерения Rds(on)

10В

Пороговое Напряжение Vgs

1В

Transistor Mounting

Surface Mount

Вес, г

0.07

Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)

MSL 1 - Безлимитный

Ширина

4 mm

Высота

1.5 mm

Минимальная рабочая температура

55 C

Pin Count

Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C

2.5A

Drain to Source Voltage (Vdss)

60V

ECCN

EAR99

FET Type

2 N-Channel (Dual)

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

5.7nC @ 10V

HTSUS

8541.29.0095

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

330pF @ 40V

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Mounting Type

Surface Mount

Operating Temperature

-55В°C ~ 150В°C (TJ)

Package

Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)

Package / Case

8-SOIC (0.154"", 3.90mm Width)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

120mOhm @ 2.5A, 10V

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

8-SO

Vgs(th) (Max) @ Id

1V @ 250ВµA (Min)

FET Feature

Logic Level Gate

Power - Max

1.8W

Id - непрерывный ток утечки

3.2 A

Pd - рассеивание мощности

2.1 W

Rds Вкл - сопротивление сток-исток

180 mOhms

Vds - напряжение пробоя сток-исток

60 V

Vgs - напряжение затвор-исток

20 V

Вид монтажа

SMD/SMT

Время нарастания

3.5 ns

Время спада

4.6 ns

Длина

5 mm

Канальный режим

Enhancement

Категория продукта

МОП-транзистор

Количество каналов

2 Channel

Конфигурация

Dual

Подкатегория

MOSFETs

Размер фабричной упаковки

500

Серия

ZXMN6A111

Технология

Тип продукта

MOSFET

Тип транзистора

2 N-Channel

Типичное время задержки выключения

8.2 ns

Типичное время задержки при включении

1.95 ns

Торговая марка

Diodes Incorporated

Упаковка / блок

SO-8

Тип

MOSFET

Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C

2.5A

Power Dissipation-Max (Ta=25В°C)

1.8W

Rds On - Drain-Source Resistance

120mО© @ 2.5A,10V

Transistor Polarity

2 N Channel(Double)

Vds - Drain-Source Breakdown Voltage

60V

Vgs - Gate-Source Voltage

1V @ 250uAпј€Minпј‰

Number of Elements per Chip

Channel Mode

Enhancement

Channel Type

Configuration

Dual Dual Drain

ECCN (US)

EAR99

EU RoHS

Compliant

Lead Shape

Gull-wing

Maximum Continuous Drain Current (A)

3.2

Maximum Drain Source Resistance (mOhm)

140@10V

Maximum Drain Source Voltage (V)

Maximum Gate Source Voltage (V)

±20

Maximum Operating Temperature (°C)

150

Maximum Power Dissipation (mW)

2100

Minimum Operating Temperature (°C)

-55

Mounting

Surface Mount

Packaging

Tape and Reel

Part Status

Active

PCB changed

Product Category

Power MOSFET

Standard Package Name

SOP

Supplier Package

SOIC

Typical Input Capacitance @ Vds (pF)

330@40V

HTS

8541.21.00.95

Typical Gate Charge @ Vgs (nC)

3@5V|5.7@10V

Typical Gate Charge @ 10V (nC)

5.7

Typical Fall Time (ns)

4.6

Typical Rise Time (ns)

3.5

Typical Turn-Off Delay Time (ns)

8.2

Typical Turn-On Delay Time (ns)

1.95

Automotive

Yes

Military

Package Height

1.5(Max)

Package Length

5(Max)

Package Width

4(Max)

Process Technology

TMOS

AEC Qualified Number

AEC-Q101

Техническая документация

Datasheet ZXMN6A11DN8TA , pdf , 480 КБ
Datasheet ZXMN6A11DN8TA , pdf , 650 КБ

ZXMN6A11DN8TA, Двойной МОП-транзистор, N Канал, 60 В, 3.2 А, 0.18 Ом, SOIC, Surface Mount - характеристики, поставщики

Последняя цена 190 руб.

Техническая документация