ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
ZXMN6A09KTC, N-Channel MOSFET, 11.8 A, 60 V, 3-Pin DPAK Diodes Inc - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Diodes Incorporated
ZXMN6A09KTC, N-Channel MOSFET, 11.8 A, 60 V, 3-Pin DPAK Diodes Inc
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
ZXMN6A09KTC, N-Channel MOSFET, 11.8 A, 60 V, 3-Pin DPAK Diodes Inc
Последняя цена
52 руб.
Сравнить
Описание
N-канальный полевой МОП-транзистор, от 40 до 90 В, Diodes Inc.
Информация
Производитель
Diodes Incorporated
Артикул
ZXMN6A09KTC
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
1740804
Технические параметры
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Максимальный непрерывный ток стока
11,8 A
Максимальное рассеяние мощности
10,1 Вт
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Ширина
6.2мм
Transistor Material
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Length
6.7мм
Конфигурация транзистора
Одинарный
Brand
DiodesZetex
Максимальное сопротивление сток-исток
60 мΩ
Тип канала
N
Maximum Gate Source Voltage
-20 В, +20 В
Тип корпуса
DPAK (TO-252)
Maximum Gate Threshold Voltage
3V
Число контактов
3
Типичный заряд затвора при Vgs
29 нКл при 10 В
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Height
2.39мм
Maximum Drain Source Voltage
60 В
Channel Mode
Поднятие
Техническая документация
Datasheet ZXMN6A09KTC , pdf
, 494 КБ