ZXMN6A07ZTA, Транзистор N-MOSFET, полевой, 60В, 2,1А, 1,5Вт, SOT89, Diodes Incorporated - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 200 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N SMD

N-канальный полевой МОП-транзистор, от 40 до 90 В, Diodes Inc.

Информация

Производитель

Diodes Incorporated

Артикул

ZXMN6A07ZTA

Категория

Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)

Номенклатурный номер

1428546

Технические параметры

Тип Транзистора

1 N-Channel

Вес, г

0.1

Length

4.6мм

Brand

DiodesZetex

Тип корпуса

SOT-89

Mounting Type

Surface Mount

Ширина

2.6мм

Height

1.6мм

Число контактов

Конфигурация

Single

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Transistor Configuration

Одинарный

Width

2.6мм

Pin Count

Категория продукта

МОП-транзистор

Размер фабричной упаковки

1000

Серия

ZXMN6A07

Тип

MOSFET

Торговая марка

Diodes Incorporated

Длина

4.6мм

Высота

1.6мм

Размеры

4.6 x 2.6 x 1.6мм

Id - непрерывный ток утечки

2.5 A

Pd - рассеивание мощности

2.6 W

Vds - напряжение пробоя сток-исток

60 V

Вид монтажа

SMD/SMT

Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.

2.3 S

Полярность транзистора

N-Channel

Упаковка / блок

SOT-89-3

Подкатегория

MOSFETs

Тип продукта

MOSFET

Drain to Source Voltage (Vdss)

60V

ECCN

EAR99

FET Type

N-Channel

HTSUS

8541.29.0095

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Package

Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®

Package / Case

TO-243AA

REACH Status

REACH Affected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

SOT-89-3

Производитель

DiodesZetex

Тип монтажа

Surface Mount

Количество каналов

1 Channel

Технология

Количество элементов на ИС

Максимальный непрерывный ток стока

2.5 A

Максимальное рассеяние мощности

2,6 Вт

Максимальное сопротивление сток-исток

250 мΩ

Максимальное напряжение сток-исток

60 В

Материал транзистора

Кремний

Номер канала

Поднятие

Типичная входная емкость при Vds

166 пФ при 40 В

Тип канала

Rds Вкл - сопротивление сток-исток

250 mOhms

Vgs - напряжение затвор-исток

10 V

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток

1 V

Канальный режим

Enhancement

Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C

1.9A (Ta)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

166pF @ 40V

Power Dissipation (Max)

1.5W (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

250mOhm @ 1.8A, 10V

Technology

MOSFET (Metal Oxide)

Vgs (Max)

В±20V

Vgs(th) (Max) @ Id

3V @ 250ВµA

Number of Elements per Chip

Maximum Continuous Drain Current

2,5 A

Maximum Power Dissipation

2,6 Вт

Typical Gate Charge @ Vgs

1.65 nC @ 5 V, 3.2 nC @ 10 V

Transistor Material

Кремний

Maximum Gate Source Voltage

-20 В, +20 В

Qg - заряд затвора

3.2 nC

Время нарастания

1.4 ns

Время спада

2 ns

Типичное время задержки выключения

4,9 нс

Типичное время задержки при включении

1.8 ns

Типичное время задержки включения

1,8 нс

Категория

Мощный МОП-транзистор

Типичный заряд затвора при Vgs

1,65 нКл при 5 В, 3,2 нКл при 10 В

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

3.2nC @ 10V

Maximum Gate Threshold Voltage

Техническая документация

Datasheet ZXMN6A07ZTA , pdf , 531 КБ
Datasheet ZXMN6A07ZTA , pdf , 523 КБ

ZXMN6A07ZTA, Транзистор N-MOSFET, полевой, 60В, 2,1А, 1,5Вт, SOT89 - характеристики, поставщики

Последняя цена 200 руб.

Техническая документация