ZXMN3A14FQTA, Транзистор N-MOSFET, полевой, 30В, 2,6А, 1Вт, SOT23, Diodes Incorporated - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 190 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N SMD

МОП-транзистор МОП-транзистор BVDSS 25V-30V

Информация

Производитель

Diodes Incorporated

Артикул

ZXMN3A14FQTA

Категория

Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)

Номенклатурный номер

2159864

Технические параметры

Вес, г

0.5

Конфигурация

Single

Максимальная Рабочая Температура

+ 150 C

Категория продукта

МОП-транзистор

Размер фабричной упаковки

3000

Торговая марка

Diodes Incorporated

Id - непрерывный ток утечки

3.9 A

Pd - рассеивание мощности

1.5 W

Vds - напряжение пробоя сток-исток

30 V

Вид монтажа

SMD/SMT

Минимальная рабочая температура

55 C

Полярность транзистора

N-Channel

Упаковка / блок

SOT-23-3

Подкатегория

MOSFETs

Тип продукта

MOSFET

Количество каналов

1 Channel

Технология

Rds Вкл - сопротивление сток-исток

65 mOhms

Vgs - напряжение затвор-исток

20 V, + 20 V

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток

1 V

Канальный режим

Enhancement

Qg - заряд затвора

8.6 nC

Квалификация

AEC-Q101

Техническая документация

Datasheet ZXMN3A14FQTA , pdf , 403 КБ

ZXMN3A14FQTA, Транзистор N-MOSFET, полевой, 30В, 2,6А, 1Вт, SOT23 - характеристики, поставщики

Последняя цена 190 руб.

Техническая документация