ZXMN2F34FHTA, Транзистор N-MOSFET, полевой, 20В, 2,9А, 0,95Вт, SOT23, Diodes Incorporated - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 63 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N SMD

N-канальный полевой МОП-транзистор, от 12 В до 28 В, Diodes Inc.

Информация

Производитель

Diodes Incorporated

Артикул

ZXMN2F34FHTA

Категория

Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)

Номенклатурный номер

1558912

Технические параметры

Вес, г

0.1

Тип корпуса

SOT-23

Ширина

1.4мм

Число контактов

Максимальное напряжение затвор-исток

-12 V, +12 V

Максимальная Рабочая Температура

+150 °C

Transistor Configuration

Одинарный

Длина

3.04мм

Высота

1.12мм

Размеры

3.04 x 1.4 x 1.12мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Производитель

DiodesZetex

Тип монтажа

Surface Mount

Количество элементов на ИС

Максимальный непрерывный ток стока

4 A

Максимальное рассеяние мощности

1,4 Вт

Максимальное сопротивление сток-исток

120 мОм

Максимальное напряжение сток-исток

20 V

Материал транзистора

Кремний

Номер канала

Поднятие

Типичная входная емкость при Vds

277 пФ при 10 В

Тип канала

Типичное время задержки выключения

9,9 нс

Типичное время задержки включения

2,65 нс

Категория

Мощный МОП-транзистор

Типичный заряд затвора при Vgs

2,8 нКл при 4,5 В

Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C

3.4A

Power Dissipation-Max (Ta=25В°C)

950mW

Rds On - Drain-Source Resistance

Transistor Polarity

N Channel

Vds - Drain-Source Breakdown Voltage

20V

Vgs - Gate-Source Voltage

1.5V @ 250uA

Maximum Gate Threshold Voltage

1.5

Техническая документация

Datasheet ZXMN2F34FHTA , pdf , 408 КБ

ZXMN2F34FHTA, Транзистор N-MOSFET, полевой, 20В, 2,9А, 0,95Вт, SOT23 - характеристики, поставщики

Последняя цена 63 руб.

Техническая документация