ZXMN10B08E6TA, Транзистор N-MOSFET, полевой, 100В, 1,5А, 1,1Вт, SOT26, Diodes Incorporated - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 180 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N SMD

N-канальный полевой МОП-транзистор, от 100 до 950 В, Diodes Inc.

Информация

Производитель

Diodes Incorporated

Артикул

ZXMN10B08E6TA

Категория

Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)

Номенклатурный номер

2140820

Технические параметры

Тип Транзистора

1 N-Channel

Вес, г

0.03

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Length

3.1мм

Конфигурация транзистора

Одинарный

Brand

DiodesZetex

Тип корпуса

SOT-23

Mounting Type

Поверхностный монтаж

Ширина

1.8 mm

Height

1.3мм

Maximum Drain Source Voltage

100 В

Конфигурация

Single

Channel Type

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Максимальная Рабочая Температура

+ 150 C

Width

1.8мм

Pin Count

Категория продукта

МОП-транзистор

Размер фабричной упаковки

3000

Серия

ZXMN10

Тип

MOSFET

Торговая марка

Diodes Incorporated

Длина

3.1 mm

Высота

1.3 mm

Id - непрерывный ток утечки

1.9 A

Pd - рассеивание мощности

1.1 W

Vds - напряжение пробоя сток-исток

100 V

Вид монтажа

SMD/SMT

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Полярность транзистора

N-Channel

Упаковка / блок

SOT-26-6

Подкатегория

MOSFETs

Тип продукта

MOSFET

Количество каналов

1 Channel

Продукт

MOSFET Small Signal

Технология

Максимальное сопротивление сток-исток

230 мΩ

Rds Вкл - сопротивление сток-исток

230 mOhms

Vgs - напряжение затвор-исток

20 V, + 20 V

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток

1 V

Канальный режим

Enhancement

Number of Elements per Chip

Maximum Continuous Drain Current

1,9 A

Maximum Power Dissipation

1,7 Вт

Typical Gate Charge @ Vgs

5 нКл при 5 В, 9,2 нКл при 10 В

Transistor Material

Кремний

Channel Mode

Поднятие

Qg - заряд затвора

9.2 nC

Время нарастания

2.1 ns

Время спада

2.1 ns

Типичное время задержки выключения

12.1 ns

Типичное время задержки при включении

2.9 ns

Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C

1.6A

Power Dissipation-Max (Ta=25В°C)

1.1W

Rds On - Drain-Source Resistance

Transistor Polarity

N Channel

Vds - Drain-Source Breakdown Voltage

100V

Vgs - Gate-Source Voltage

3V @ 250uA

Maximum Gate Threshold Voltage

Техническая документация

Datasheet ZXMN10B08E6TA , pdf , 318 КБ
Datasheet , pdf , 320 КБ

ZXMN10B08E6TA, Транзистор N-MOSFET, полевой, 100В, 1,5А, 1,1Вт, SOT26 - характеристики, поставщики

Последняя цена 180 руб.

Техническая документация