ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
ZXMN10A07ZTA, Транзистор N-MOSFET, полевой, 100В, 1,1А, 1,5Вт, SOT89 - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Diodes Incorporated
ZXMN10A07ZTA, Транзистор N-MOSFET, полевой, 100В, 1,1А, 1,5Вт, SOT89
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
ZXMN10A07ZTA, Транзистор N-MOSFET, полевой, 100В, 1,1А, 1,5Вт, SOT89
Последняя цена
26 руб.
Сравнить
Описание
Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N SMD
N-канальный полевой МОП-транзистор, от 100 до 950 В, Diodes Inc.
Информация
Производитель
Diodes Incorporated
Артикул
ZXMN10A07ZTA
Категория
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
Номенклатурный номер
1428527
Технические параметры
Вес, г
0.06
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Конфигурация транзистора
Одинарный
Brand
DiodesZetex
Mounting Type
Поверхностный монтаж
Maximum Drain Source Voltage
100 В
Channel Type
N
Package Type
SOT-89
Width
2.6мм
Pin Count
3
Длина
4.6мм
Высота
1.6мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Количество элементов на ИС
1
Максимальное рассеяние мощности
2,6 Вт
Maximum Continuous Drain Current
1,4 А
Maximum Drain Source Resistance
700 мΩ
Typical Gate Charge @ Vgs
2,9 нКл при 10 В
Transistor Material
Кремний
Channel Mode
Поднятие
Maximum Gate Source Voltage
-20 В, +20 В
Максимальное пороговое напряжение включения
2V