ZXMHC10A07N8TC, Транзистор N/P-MOSFET x2, полевой, комплементарная пара, 0,87Вт, Diodes Incorporated - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 200 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы многоканальные

Дополнительный режим улучшения MOSFET H-Bridge, Diodes Inc.

Информация

Производитель

Diodes Incorporated

Артикул

ZXMHC10A07N8TC

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

1428524

Технические параметры

Вес, г

0.5

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Package Type

SOIC

Высота

1.5мм

Transistor Material

Кремний

Length

5мм

Brand

DiodesZetex

Pin Count

Typical Gate Charge @ Vgs

2.9 nC @ 10 V, 3.5 nC @ 50 V

Maximum Gate Source Voltage

-20 В, +20 В

Mounting Type

Поверхностный монтаж

Transistor Configuration

Full Bridge

Maximum Gate Threshold Voltage

Number of Elements per Chip

Maximum Continuous Drain Current

1 A, 850 mA

Maximum Power Dissipation

1.36 W

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Width

4мм

Maximum Drain Source Resistance

1.45 Ω, 900 mΩ

Maximum Drain Source Voltage

100 V

Channel Mode

Поднятие

Channel Type

N, P

Id - непрерывный ток утечки:

1 A, 850 mA

Pd - рассеивание мощности:

870 mW

Qg - заряд затвора:

2.9 nC, 3.5 nC

Rds Вкл - сопротивление сток-исток:

700 mOhms, 1.45 Ohms

Vds - напряжение пробоя сток-исток:

100 V

Vgs - напряжение затвор-исток:

-20 V, +20 V

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток :

2 V

Вид монтажа:

SMD/SMT

Время нарастания:

1.5 ns, 2.1 ns

Время спада:

2.1 ns, 3.3 ns

Канальный режим:

Enhancement

Категория продукта:

МОП-транзистор

Количество каналов:

4 Channel

Конфигурация:

Quad

Максимальная рабочая температура:

+150 C

Минимальная рабочая температура:

-55 C

Подкатегория:

MOSFETs

Полярность транзистора:

N-Channel, P-Channel

Производитель:

Diodes Incorporated

Размер фабричной упаковки:

2500

Серия:

ZXMHC10

Технология:

Тип продукта:

MOSFET

Тип транзистора:

2 N-Channel, 2 P-Channel

Типичное время задержки выключения:

4.1 ns, 5.9 ns

Типичное время задержки при включении:

1.8 ns, 1.6 ns

Торговая марка:

Diodes Incorporated

Упаковка / блок:

SO-8

Упаковка:

Cut Tape, MouseReel, Reel

Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.:

1.6 S, 1.2 S

Техническая документация

Datasheet ZXMHC10A07N8TC , pdf , 722 КБ

ZXMHC10A07N8TC, Транзистор N/P-MOSFET x2, полевой, комплементарная пара, 0,87Вт - характеристики, поставщики

Последняя цена 200 руб.

Техническая документация