ZXMC10A816N8TC, Транзистор МОП n/Транзистор P-МОП, полевой, полевой, -100/100В, -2,1/2,2А, Diodes Incorporated - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 190 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы многоканальные

МОП-транзистор с двойным каналом N / P, Diodes Inc.

Информация

Производитель

Diodes Incorporated

Артикул

ZXMC10A816N8TC

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

2171617

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+ 150 C

Полярность Транзистора

N-Channel, P-Channel

Вес, г

0.15

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Package Type

SOIC

Ширина

3.95 mm

Высота

1.5 mm

Transistor Material

Length

5mm

Brand

DiodesZetex

Минимальная рабочая температура

55 C

Pin Count

Typical Gate Charge @ Vgs

9.2 nC @ 10 V

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Mounting Type

Surface Mount

Id - непрерывный ток утечки

2.1 A, 2.2 A

Pd - рассеивание мощности

1.8 W

Qg - заряд затвора

9.2 nC, 16.5 nC

Rds Вкл - сопротивление сток-исток

230 mOhms, 235 mOhms

Vds - напряжение пробоя сток-исток

100 V

Vgs - напряжение затвор-исток

20 V, + 20 V

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток

1.7 V, 2 V

Вид монтажа

SMD/SMT

Время нарастания

2.1 ns, 5.2 ns

Время спада

5 ns, 12 ns

Длина

4.95 mm

Канальный режим

Enhancement

Категория продукта

МОП-транзистор

Количество каналов

2 Channel

Конфигурация

Dual

Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.

4.8 S, 4.7 S

Подкатегория

MOSFETs

Размер фабричной упаковки

2500

Серия

ZXMC10A8

Технология

Тип продукта

MOSFET

Тип транзистора

1 N-Channel, 1 P-Channel

Типичное время задержки выключения

12.1 ns, 20 ns

Типичное время задержки при включении

2.9 ns, 4.3 ns

Торговая марка

Diodes Incorporated

Упаковка / блок

SO-8

Transistor Configuration

Isolated

Maximum Gate Threshold Voltage

Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C

Rds On - Drain-Source Resistance

Transistor Polarity

N & P Channel

Vds - Drain-Source Breakdown Voltage

100V

Vgs - Gate-Source Voltage

2.4V @ 250uA

Number of Elements per Chip

Maximum Continuous Drain Current

2.3 A, 2.4 A

Maximum Power Dissipation

2.4 W, 2.6 W

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Width

4mm

Height

1.5mm

Maximum Drain Source Resistance

300 mΩ, 320 mΩ

Maximum Drain Source Voltage

100 V

Channel Mode

Enhancement

Channel Type

N, P

Dimensions

5 x 4 x 1.5mm

Typical Turn-On Delay Time

2.9 ns, 4.3 ns

Typical Turn-Off Delay Time

12.1 ns, 20 ns

Техническая документация

Datasheet ZXMC10A816N8TC , pdf , 415 КБ
Datasheet , pdf , 431 КБ

ZXMC10A816N8TC, Транзистор МОП n/Транзистор P-МОП, полевой, полевой, -100/100В, -2,1/2,2А - характеристики, поставщики

Последняя цена 190 руб.

Техническая документация