ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
ZXM61N03FTA, Транзистор - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Diodes Incorporated
ZXM61N03FTA, Транзистор
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
ZXM61N03FTA, Транзистор
Последняя цена
22 руб.
Сравнить
Описание
N-канальный полевой МОП-транзистор, 30 В, Diodes Inc.
Информация
Производитель
Diodes Incorporated
Артикул
ZXM61N03FTA
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
1811906
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
+150 °C
Максимальный непрерывный ток стока
1,4 A
Максимальное рассеяние мощности
806 мВт
Тип монтажа
Surface Mount
Ширина
1.4мм
Высота
1мм
Количество элементов на ИС
1
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Максимальное сопротивление сток-исток
300 мΩ
Максимальное напряжение сток-исток
30 V
Номер канала
Поднятие
Тип канала
N
Длина
3.05
Типичное время задержки выключения
5,8 нс
Тип корпуса
SOT-23
Размеры
3.05 x 1.4 x 1мм
Материал транзистора
Кремний
Transistor Configuration
Одинарный
Типичное время задержки включения
1,9 нс
Производитель
DiodesZetex
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Число контактов
3
Категория
Малый сигнал
Типичный заряд затвора при Vgs
4,1 нКл при 10 В
Типичная входная емкость при Vds
150 пФ при 25 В
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Техническая документация
Datasheet ZXM61N03FTA , pdf
, 188 КБ
Datasheet ZXM61N03FTA , pdf
, 189 КБ
Datasheet , pdf
, 189 КБ