Транзистор ZX5T3ZTA, Diodes Incorporated - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 54 руб.

Сравнить

Описание

Транзисторы\Транзисторы биполярные (BJTs)

Биполярные транзисторы - BJT PNP 40V

Информация

Производитель

Diodes Incorporated

Артикул

ZX5T3ZTA

Категория

Биполярные (BJTs)

Номенклатурный номер

2471887

Технические параметры

Base Product Number

ZX5T3 ->

Current - Collector (Ic) (Max)

5.5A

Current - Collector Cutoff (Max)

20nA

DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce

200 @ 500mA, 2V

ECCN

EAR99

Frequency - Transition

152MHz

HTSUS

8541.29.0075

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Mounting Type

Surface Mount

Operating Temperature

-55В°C ~ 150В°C (TJ)

Package

Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®

Package / Case

TO-243AA

Power - Max

2.1W

REACH Status

REACH Affected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

SOT-89-3

Transistor Type

PNP

Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic

185mV @ 550mA, 5.5A

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)

40V

Number of Elements per Chip

Pin Count

Minimum DC Current Gain

170@2A@2V|110@5.5A@2V|200@10mA@2V|200@500mA@2V

EU RoHS

Compliant with Exemption

ECCN (US)

EAR99

Part Status

Active

HTS

8541.29.00.75

Type

PNP

Product Category

Bipolar Power

Configuration

Single Dual Collector

Maximum Collector Base Voltage (V)

Maximum Collector-Emitter Voltage (V)

Maximum Emitter Base Voltage (V)

7.5

Maximum Base Emitter Saturation Voltage (V)

1.075@550mA@5.5A|0.9@40mA@2A

Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V)

0.03@10mA@0.1A|0.165@10mA@1A|0.185@550mA@5.5A|0.06@100mA@1A|0.08@200mA@2A|0.175@175mA@3.5A|0.07@50mA@1A|0.175@40mA@2A

Maximum DC Collector Current (A)

5.5

Maximum Power Dissipation (mW)

3000

Maximum Transition Frequency (MHz)

152(Typ)

Minimum Operating Temperature (°C)

-55

Maximum Operating Temperature (°C)

150

Packaging

Tape and Reel

Automotive

Yes

Standard Package Name

SOT

Supplier Package

SOT-89

Military

Mounting

Surface Mount

Package Height

1.6(Max)

Package Length

4.6(Max)

Package Width

2.6(Max)

PCB changed

Tab

Lead Shape

Flat

Pd - рассеивание мощности:

3000 mW

Вид монтажа:

SMD/SMT

Категория продукта:

Биполярные транзисторы - BJT

Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe):

200

Конфигурация:

Single

Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.:

200

Максимальная рабочая температура:

+ 150 C

Максимальный постоянный ток коллектора:

5.5 A

Напряжение коллектор-база (VCBO):

- 50 V

Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.:

40 V

Напряжение эмиттер-база (VEBO):

- 7.5 V

Непрерывный коллекторный ток:

- 5.5 A

Подкатегория:

Transistors

Полярность транзистора:

PNP

Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT):

152 MHz

Производитель:

Diodes Incorporated

Размер фабричной упаковки:

1000

Технология:

Тип продукта:

BJTs - Bipolar Transistors

Торговая марка:

Diodes Incorporated

Упаковка / блок:

SOT-89-3

AEC Qualified Number

AEC-Q101

Высота:

1.6 mm

Длина:

4.6 mm

Минимальная рабочая температура:

- 55 C

Ширина:

2.6 mm

Серия:

ZX5T3

Техническая документация

Datasheet ZX5T3ZTA , pdf , 189 КБ
Datasheet ZX5T3ZTA , pdf , 183 КБ
Datasheet ZX5T3ZTA , pdf , 188 КБ

Транзистор ZX5T3ZTA - характеристики, поставщики

Последняя цена 54 руб.

Техническая документация