ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
ZVP3306FTA, Транзистор P-MOSFET, полевой, -60В, -1,6А, 330мВт, SOT23 - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Diodes Incorporated
ZVP3306FTA, Транзистор P-MOSFET, полевой, -60В, -1,6А, 330мВт, SOT23
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
ZVP3306FTA, Транзистор P-MOSFET, полевой, -60В, -1,6А, 330мВт, SOT23
Последняя цена
63 руб.
Сравнить
Описание
Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа P\Транзисторы с каналом P SMD
МОП-транзистор с каналом P, от 40 до 90 В, Diodes Inc.
Информация
Производитель
Diodes Incorporated
Артикул
ZVP3306FTA
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
2174299
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
+150 °C
Полярность Транзистора
P-Channel
Вес, г
0.01
Максимальный непрерывный ток стока
90 мА
Максимальное рассеяние мощности
330 мВт
Тип монтажа
Surface Mount
Ширина
1.4мм
Высота
1мм
Количество элементов на ИС
1
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Максимальное сопротивление сток-исток
14 Ω
Максимальное напряжение сток-исток
60 В
Номер канала
Поднятие
Тип канала
A, P
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C
90mA (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss)
60V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
ECCN
EAR99
FET Type
P-Channel
HTSUS
8541.21.0095
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
50pF @ 18V
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55В°C ~ 150В°C (TJ)
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
Package / Case
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Power Dissipation (Max)
330mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
14Ohm @ 200mA, 10V
REACH Status
REACH Unaffected
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Supplier Device Package
SOT-23-3
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)
В±20V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 1mA
Id - непрерывный ток утечки
90 mA
Pd - рассеивание мощности
330 mW
Rds Вкл - сопротивление сток-исток
14 Ohms
Vds - напряжение пробоя сток-исток
60 V
Vgs - напряжение затвор-исток
20 V, + 20 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток
1.5 V
Вид монтажа
SMD/SMT
Время нарастания
8 ns
Время спада
8 ns
Длина
3.05
Канальный режим
Enhancement
Категория продукта
МОП-транзистор
Количество каналов
1 Channel
Конфигурация
Single
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.
60 mS
Подкатегория
MOSFETs
Размер фабричной упаковки
3000
Серия
ZVP3306
Технология
Si
Тип продукта
MOSFET
Тип транзистора
1 P-Channel
Типичное время задержки выключения
8 нс
Типичное время задержки при включении
8 ns
Торговая марка
Diodes Incorporated
Упаковка / блок
SOT-23-3
Продукт
MOSFET Small Signal
Тип
FET
Тип корпуса
SOT-23
Размеры
3.05 x 1.4 x 1мм
Материал транзистора
Кремний
Transistor Configuration
Одинарный
Типичное время задержки включения
8 нс
Производитель
DiodesZetex
Maximum Gate Threshold Voltage
3.5V
Число контактов
3
Категория
Малый сигнал
Типичная входная емкость при Vds
50 пФ при 18 В
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Техническая документация
Datasheet , pdf
, 116 КБ
Datasheet ZVP3306FTA , pdf
, 149 КБ