ZVP3306A, Транзистор P-MOSFET, полевой, -60В, -0,16А, 0,625Вт, TO92, Diodes Incorporated - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 35 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа P\Транзисторы с каналом P THT

МОП-транзистор с каналом P, от 40 до 90 В, Diodes Inc.

Информация

Производитель

Diodes Incorporated

Артикул

ZVP3306A

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

2143360

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+150 °C

Полярность Транзистора

P-Channel

Вес, г

0.5

Максимальный непрерывный ток стока

160 мА

Максимальное рассеяние мощности

0.625 W

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Ширина

2.41мм

Высота

4.01мм

Количество элементов на ИС

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Максимальное сопротивление сток-исток

14 Ω

Максимальное напряжение сток-исток

60 В

Номер канала

Поднятие

Тип канала

Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C

160mA (Ta)

Drain to Source Voltage (Vdss)

60V

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

ECCN

EAR99

FET Type

P-Channel

HTSUS

8541.21.0095

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

50pF @ 18V

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Mounting Type

Through Hole

Operating Temperature

-55В°C ~ 150В°C (TJ)

Package

Bulk

Package / Case

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

Power Dissipation (Max)

625mW (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

14Ohm @ 200mA, 10V

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

TO-92-3

Technology

MOSFET (Metal Oxide)

Vgs (Max)

В±20V

Vgs(th) (Max) @ Id

3.5V @ 1mA

Id - непрерывный ток утечки

160 mA

Pd - рассеивание мощности

625 mW

Rds Вкл - сопротивление сток-исток

14 Ohms

Vds - напряжение пробоя сток-исток

60 V

Vgs - напряжение затвор-исток

20 V, + 20 V

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток

1.5 V

Вид монтажа

Through Hole

Время нарастания

8 ns

Время спада

8 ns

Длина

4.77мм

Канальный режим

Enhancement

Категория продукта

МОП-транзистор

Количество каналов

1 Channel

Конфигурация

Single

Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.

60 mS

Подкатегория

MOSFETs

Размер фабричной упаковки

4000

Серия

ZVP3306

Технология

Тип продукта

MOSFET

Тип транзистора

1 P-Channel

Типичное время задержки выключения

8 нс

Типичное время задержки при включении

8 ns

Торговая марка

Diodes Incorporated

Упаковка / блок

TO-92-3

Продукт

MOSFET Small Signal

Тип

FET

Упаковка

Bulk

Тип корпуса

E-Line

Размеры

4.77 x 2.41 x 4.01мм

Материал транзистора

Transistor Configuration

Одинарный

Типичное время задержки включения

8 нс

Производитель

DiodesZetex

Maximum Gate Threshold Voltage

3.5V

Число контактов

Категория

Малый сигнал

Типичная входная емкость при Vds

50 пФ при 18 В

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C

160mA

Power Dissipation-Max (Ta=25В°C)

625mW

Rds On - Drain-Source Resistance

Transistor Polarity

P Channel

Vds - Drain-Source Breakdown Voltage

60V

Vgs - Gate-Source Voltage

3.5V @ 1mA

Техническая документация

Datasheet ZVP3306A , pdf , 126 КБ
Datasheet , pdf , 88 КБ

ZVP3306A, Транзистор P-MOSFET, полевой, -60В, -0,16А, 0,625Вт, TO92 - характеристики, поставщики

Последняя цена 35 руб.

Техническая документация