ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
ZVP0545GTA, Транзистор P-MOSFET, полевой, -450В, -0,075А, 2Вт, SOT223 - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Diodes Incorporated
ZVP0545GTA, Транзистор P-MOSFET, полевой, -450В, -0,075А, 2Вт, SOT223
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
ZVP0545GTA, Транзистор P-MOSFET, полевой, -450В, -0,075А, 2Вт, SOT223
Последняя цена
190 руб.
Сравнить
Описание
Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа P\Транзисторы с каналом P SMD
МОП-транзистор с каналом P, от 100 до 450 В, Diodes Inc.
Информация
Производитель
Diodes Incorporated
Артикул
ZVP0545GTA
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
2196187
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
+150 °C
Полярность Транзистора
P-Channel
Вес, г
0.12
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Максимальный непрерывный ток стока
75 мА
Package Type
SOT-223
Максимальное рассеяние мощности
2 Вт
Тип монтажа
Surface Mount
Ширина
3.7мм
Высота
1.65мм
Количество элементов на ИС
1
Конфигурация транзистора
Одинарный
Brand
DiodesZetex
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Максимальное сопротивление сток-исток
150 Ом
Максимальное напряжение сток-исток
450 В
Pin Count
3 + Tab
Номер канала
Поднятие
Тип канала
A, P
Maximum Gate Source Voltage
-20 В, +20 В
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C
75mA (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss)
450V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
ECCN
EAR99
FET Type
P-Channel
HTSUS
8541.29.0095
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
120pF @ 25V
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55В°C ~ 150В°C (TJ)
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
Package / Case
TO-261-4, TO-261AA
Power Dissipation (Max)
2W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
150Ohm @ 50mA, 10V
REACH Status
REACH Affected
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Supplier Device Package
SOT-223
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)
В±20V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 1mA
Id - непрерывный ток утечки
75 mA
Pd - рассеивание мощности
2 W
Rds Вкл - сопротивление сток-исток
150 Ohms
Vds - напряжение пробоя сток-исток
450 V
Vgs - напряжение затвор-исток
10 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток
1.5 V
Вид монтажа
SMD/SMT
Время нарастания
15 ns
Время спада
20 ns
Длина
6.7мм
Канальный режим
Enhancement
Категория продукта
МОП-транзистор
Количество каналов
1 Channel
Конфигурация
Single Dual Drain
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.
40 mS
Подкатегория
MOSFETs
Размер фабричной упаковки
1000
Серия
ZVP0545
Технология
Si
Тип продукта
MOSFET
Тип транзистора
1 P-Channel
Типичное время задержки выключения
15 нс
Типичное время задержки при включении
10 ns
Торговая марка
Diodes Incorporated
Упаковка / блок
SOT-223-3
Тип
FET
Тип корпуса
SOT-223
Размеры
6.7 x 3.7 x 1.65мм
Материал транзистора
Кремний
Transistor Configuration
Одинарный
Типичное время задержки включения
10 нс
Производитель
DiodesZetex
Maximum Gate Threshold Voltage
4.5V
Число контактов
3+Tab
Категория
Мощный МОП-транзистор
Типичная входная емкость при Vds
120 пФ при 25 В
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Maximum Continuous Drain Current
75 мА
Maximum Power Dissipation
2 Вт
Width
3.7мм
Height
1.65мм
Channel Type
P
Максимальное пороговое напряжение включения
4.5V
Техническая документация
Datasheet ZVP0545GTA , pdf
, 564 КБ
Datasheet ZVP0545GTA , pdf
, 577 КБ