ZVN2110A, Транзистор N-MOSFET, полевой, 100В, 0,32А, 700мВт, TO92, Diodes Incorporated - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 190 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N THT

MOSFET, N, E-LINE
Корпус TO-92-3, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 100 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 320 мА, Сопротивление открытого канала (мин) 4 Ом

Информация

Производитель

Diodes Incorporated

Артикул

ZVN2110A

Категория

Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)

Номенклатурный номер

2151547

Технические параметры

Тип Транзистора

1 N-Channel

Вес, г

0.16

Mounting Type

Through Hole

Ширина

2.41 mm

Конфигурация

Single

Максимальная Рабочая Температура

+ 150 C

Категория продукта

МОП-транзистор

Размер фабричной упаковки

4000

Серия

ZVN2110

Тип

FET

Торговая марка

Diodes Incorporated

Длина

4.77 mm

Высота

4.01 mm

Id - непрерывный ток утечки

320 mA

Pd - рассеивание мощности

700 mW

Vds - напряжение пробоя сток-исток

100 V

Вид монтажа

Through Hole

Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.

250 mS

Минимальная рабочая температура

55 C

Полярность транзистора

N-Channel

Упаковка / блок

TO-92-3

Подкатегория

MOSFETs

Тип продукта

MOSFET

Drain to Source Voltage (Vdss)

100V

ECCN

EAR99

FET Type

N-Channel

HTSUS

8541.21.0095

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Operating Temperature

-55В°C ~ 150В°C (TJ)

Package

Bulk

Package / Case

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

TO-92-3

Количество каналов

1 Channel

Продукт

MOSFET Small Signal

Технология

Rds Вкл - сопротивление сток-исток

4 Ohms

Vgs - напряжение затвор-исток

20 V, + 20 V

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток

800 mV

Канальный режим

Enhancement

Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C

320mA (Ta)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

75pF @ 25V

Power Dissipation (Max)

700mW (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

4Ohm @ 1A, 10V

Technology

MOSFET (Metal Oxide)

Vgs (Max)

В±20V

Vgs(th) (Max) @ Id

2.4V @ 1mA

Время нарастания

8 ns

Время спада

13 ns

Типичное время задержки выключения

13 ns

Типичное время задержки при включении

7 ns

Техническая документация

Datasheet , pdf , 67 КБ
Datasheet ZVN2110A , pdf , 62 КБ

ZVN2110A, Транзистор N-MOSFET, полевой, 100В, 0,32А, 700мВт, TO92 - характеристики, поставщики

Последняя цена 190 руб.

Техническая документация