ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
ZVN2106ASTZ, Транзистор N-MOSFET, полевой, 60В, 0,45А, 0,7Вт, TO92 - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Diodes Incorporated
ZVN2106ASTZ, Транзистор N-MOSFET, полевой, 60В, 0,45А, 0,7Вт, TO92
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
ZVN2106ASTZ, Транзистор N-MOSFET, полевой, 60В, 0,45А, 0,7Вт, TO92
Последняя цена
190 руб.
Сравнить
Описание
Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N THT
МОП-транзистор N-Chnl 60V
Информация
Производитель
Diodes Incorporated
Артикул
ZVN2106ASTZ
Категория
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
Номенклатурный номер
2123677
Технические параметры
Тип Транзистора
1 N-Channel
Вес, г
0.5
Ширина
2.41 mm
Конфигурация
Single
Channel Type
N
Максимальная Рабочая Температура
+ 150 C
Pin Count
3
Configuration
Single
EU RoHS
Compliant
ECCN (US)
EAR99
Part Status
Active
HTS
8541.21.00.95
Lead Shape
Through Hole
Package Length
4.57
Package Width
2.28
PCB changed
3
Package Height
3.9
Mounting
Through Hole
Maximum Drain Source Voltage (V)
60
Maximum Power Dissipation (mW)
700
Minimum Operating Temperature (°C)
-55
Maximum Operating Temperature (°C)
150
Packaging
Tape and Reel
Automotive
No
Supplier Package
E-Line
Standard Package Name
TO-92
Military
No
Категория продукта
МОП-транзистор
Размер фабричной упаковки
2000
Серия
ZVN2106
Тип
FET
Торговая марка
Diodes Incorporated
Длина
4.77 mm
Высота
4.01 mm
Id - непрерывный ток утечки
450 mA
Pd - рассеивание мощности
700 mW
Vds - напряжение пробоя сток-исток
60 V
Вид монтажа
Through Hole
Минимальная рабочая температура
55 C
Полярность транзистора
N-Channel
Упаковка / блок
TO-92-3
Подкатегория
MOSFETs
Тип продукта
MOSFET
Process Technology
DMOS
Количество каналов
1 Channel
Продукт
MOSFET Small Signal
Упаковка
Bulk
Технология
Si
Rds Вкл - сопротивление сток-исток
2 Ohms
Vgs - напряжение затвор-исток
20 V
Канальный режим
Enhancement
Number of Elements per Chip
1
Channel Mode
Enhancement
Product Category
Small Signal
Maximum Gate Source Voltage (V)
±20
Maximum Continuous Drain Current (A)
0.45
Maximum Drain Source Resistance (mOhm)
2000@10V
Typical Input Capacitance @ Vds (pF)
75(Max)@18V
Техническая документация
Datasheet , pdf
, 81 КБ
Datasheet ZVN2106ASTZ , pdf
, 51 КБ