ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
ZTX853, Транзистор NPN 100В 4A 1.2Вт TO92 - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Diodes Incorporated
ZTX853, Транзистор NPN 100В 4A 1.2Вт TO92
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Биполярные (BJTs)
5811
ZTX853, Транзистор NPN 100В 4A 1.2Вт TO92
Последняя цена
190 руб.
Сравнить
Описание
Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы биполярные\Транзисторы биполярные одинарные\Транзисторы NPN THT
Биполярные транзисторы - BJT NPN Medium Power
Информация
Производитель
Diodes Incorporated
Артикул
ZTX853
Категория
Биполярные (BJTs)
Номенклатурный номер
2118989
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
+ 150 C
Полярность Транзистора
NPN
Вес, г
0.17
Base Product Number
ZTX853 ->
Current - Collector (Ic) (Max)
4A
Current - Collector Cutoff (Max)
50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
100 @ 2A, 2V
ECCN
EAR99
Frequency - Transition
130MHz
HTSUS
8541.29.0075
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55В°C ~ 200В°C (TJ)
Package
Bulk
Package / Case
E-Line-3
Power - Max
1.2W
REACH Status
REACH Affected
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Supplier Device Package
E-Line (TO-92 compatible)
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
200mV @ 400mA, 4A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
100V
Pd - рассеивание мощности
1.2 W
Вид монтажа
Through Hole
Высота
4.01 mm
Длина
4.77 mm
Категория продукта
Биполярные транзисторы - BJT
Конфигурация
Single
Максимальный постоянный ток коллектора
4 A
Минимальная рабочая температура
55 C
Напряжение коллектор-база (VCBO)
200 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.
100 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)
6 V
Непрерывный коллекторный ток
4 A
Подкатегория
Transistors
Размер фабричной упаковки
4000
Серия
ZTX853
Тип продукта
BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка
Diodes Incorporated
Упаковка
Bulk
Упаковка / блок
TO-92-3
Ширина
2.41 mm
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)
130 MHz
Технология
Si
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер
160 mV
Техническая документация
Datasheet ZTX853 , pdf
, 87 КБ
Datasheet , pdf
, 67 КБ