ZTX694B, Биполярный транзистор, NPN, 120 В, 500 мА, 1 Вт, E-Line, Through Hole, Diodes Incorporated - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 180 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\Биполярные Транзисторы\Биполярные Одиночные Массивы Транзисторов - BJT

• Усиление 400 при IC = 200мА
• Очень низкое напряжение насыщения
• Диапазон рабочей температуры от -55 до 200°C

Информация

Производитель

Diodes Incorporated

Артикул

ZTX694B

Категория

Биполярные (BJTs)

Номенклатурный номер

1428301

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

150 C

Количество Выводов

3вывод(-ов)

Напряжение Коллектор-Эмиттер

120В

Стиль Корпуса Транзистора

E-Line

Рассеиваемая Мощность

1Вт

Полярность Транзистора

npn

DC Ток Коллектора

500мА

DC Усиление Тока hFE

500hFE

Частота Перехода ft

130МГц

Transistor Mounting

Through Hole

Вес, г

0.174

Base Product Number

ZTX694B ->

Current - Collector (Ic) (Max)

500mA

Current - Collector Cutoff (Max)

100nA (ICBO)

DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce

400 @ 200mA, 2V

ECCN

EAR99

Frequency - Transition

130MHz

HTSUS

8541.29.0075

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Mounting Type

Through Hole

Operating Temperature

-55В°C ~ 200В°C (TJ)

Package

Bulk

Package / Case

E-Line-3

Power - Max

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

E-Line (TO-92 compatible)

Transistor Type

NPN

Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic

500mV @ 5mA, 400mA

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)

120V

Maximum DC Collector Current

500mA

Collector-Emitter Breakdown Voltage

120V

Pd - Power Dissipation

Pd - рассеивание мощности

1 W

Вид монтажа

Through Hole

Высота

4.01 mm

Длина

4.77 mm

Категория продукта

Биполярные транзисторы - BJT

Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)

500 at 100 mA at 2 V, 400 at 200 mA at 2 V, 150 at

Конфигурация

Single

Максимальный постоянный ток коллектора

0.5 A

Минимальная рабочая температура

55 C

Напряжение коллектор-база (VCBO)

120 V

Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.

120 V

Напряжение эмиттер-база (VEBO)

5 V

Непрерывный коллекторный ток

0.5 A

Подкатегория

Transistors

Размер фабричной упаковки

4000

Серия

ZTX694

Тип продукта

BJTs - Bipolar Transistors

Торговая марка

Diodes Incorporated

Упаковка

Bulk

Упаковка / блок

TO-92-3

Ширина

2.41 mm

Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.

500 at 100 mA at 2 V

Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)

130 MHz

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер

0.5 V

Техническая документация

Datasheet ZTX694B , pdf , 88 КБ
Datasheet , pdf , 70 КБ

ZTX694B, Биполярный транзистор, NPN, 120 В, 500 мА, 1 Вт, E-Line, Through Hole - характеристики, поставщики

Последняя цена 180 руб.

Техническая документация