VT6Z2T2R, Массив биполярных транзисторов, NPN, PNP, 50 В, 100 мА, 150 мВт, 120 hFE, VMT, Rohm - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 50 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\Биполярные Транзисторы\Биполярные Массивы Транзисторов - BJT

Биполярные транзисторы - BJT TRANS GP BJT NPN PNP 50V 0.1A 6PIN

Информация

Производитель

Rohm

Артикул

VT6Z2T2R

Категория

Биполярные (BJTs)

Номенклатурный номер

1414952

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

150 C

Количество Выводов

6вывод(-ов)

Напряжение Коллектор-Эмиттер

50в

Стиль Корпуса Транзистора

VMT

Рассеиваемая Мощность

150мВт

Полярность Транзистора

NPN, PNP

DC Ток Коллектора

100мА

DC Усиление Тока hFE

120hFE

Transistor Mounting

Surface Mount

Вес, г

0.026

Pd - рассеивание мощности

150 mW

Вид монтажа

SMD/SMT

Категория продукта

Биполярные транзисторы - BJT

Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)

120

Конфигурация

Dual

Максимальный постоянный ток коллектора

200 mA

Минимальная рабочая температура

55 C

Напряжение коллектор-база (VCBO)

50 V

Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.

50 V

Напряжение эмиттер-база (VEBO)

5 V

Подкатегория

Transistors

Размер фабричной упаковки

8000

Серия

VT6Z2

Тип продукта

BJTs - Bipolar Transistors

Торговая марка

ROHM Semiconductor

Упаковка / блок

VMT-6

Другие названия товара №

VT6Z2

Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.

560 at - 1 mA, - 6 V

Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)

350 MHz, 300 MHz

Технология

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер

0.1 V, - 0.15 V

Техническая документация

Datasheet VT6Z2T2R , pdf , 1613 КБ
Datasheet VT6Z2T2R , pdf , 1641 КБ

VT6Z2T2R, Массив биполярных транзисторов, NPN, PNP, 50 В, 100 мА, 150 мВт, 120 hFE, VMT - характеристики, поставщики

Последняя цена 50 руб.

Техническая документация