ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
VT6X2T2R, Массив биполярных транзисторов, Двойной NPN, 50 В, 100 мА, 150 мВт, 120 hFE, VMT - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Rohm
VT6X2T2R, Массив биполярных транзисторов, Двойной NPN, 50 В, 100 мА, 1…
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Биполярные (BJTs)
5811
VT6X2T2R, Массив биполярных транзисторов, Двойной NPN, 50 В, 100 мА, 150 мВт, 120 hFE, VMT
Последняя цена
56 руб.
Сравнить
Описание
Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\Биполярные Транзисторы\Биполярные Массивы Транзисторов - BJT
Биполярные транзисторы - BJT TRANS GP BJT NPN 50V 0.1A 6PIN
Информация
Производитель
Rohm
Артикул
VT6X2T2R
Категория
Биполярные (BJTs)
Номенклатурный номер
1414950
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
150 C
Количество Выводов
6вывод(-ов)
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)
MSL 1 - Безлимитный
Напряжение Коллектор-Эмиттер
50в
Стиль Корпуса Транзистора
VMT
Рассеиваемая Мощность
150мВт
Полярность Транзистора
Двойной NPN
DC Ток Коллектора
100мА
DC Усиление Тока hFE
120hFE
Transistor Mounting
Surface Mount
Вес, г
0.5
Pd - рассеивание мощности
150 mW
Вид монтажа
SMD/SMT
Категория продукта
Биполярные транзисторы - BJT
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)
120
Конфигурация
Dual
Максимальный постоянный ток коллектора
200 mA
Напряжение коллектор-база (VCBO)
50 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.
50 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)
5 V
Непрерывный коллекторный ток
100 mA
Подкатегория
Transistors
Размер фабричной упаковки
8000
Серия
VT6X2
Тип продукта
BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка
ROHM Semiconductor
Упаковка / блок
VMT-6
Другие названия товара №
VT6X2
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.
560 at 1 mA at 6 V
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)
350 MHz
Технология
Si
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер
100 mV
Техническая документация
Datasheet VT6X2T2R , pdf
, 1303 КБ