ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
VN0808L-G, Trans MOSFET N-CH Si 80V 0.3A 3-Pin TO-92 Bag - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Microchip Technology
VN0808L-G, Trans MOSFET N-CH Si 80V 0.3A 3-Pin TO-92 Bag
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
VN0808L-G, Trans MOSFET N-CH Si 80V 0.3A 3-Pin TO-92 Bag
Последняя цена
92 руб.
Сравнить
Описание
Semiconductor - Discrete > Transistors > FET - MOSFET
МОП-транзистор 80V 4Ohm
Информация
Производитель
Microchip Technology
Артикул
VN0808L-G
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
1413320
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
+ 150 C
Полярность Транзистора
N-Channel
Ширина
4.19 mm
Высота
5.33 mm
Минимальная рабочая температура
55 C
Base Product Number
VN0808 ->
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C
300mA (Tj)
Drain to Source Voltage (Vdss)
80V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
ECCN
EAR99
FET Type
N-Channel
HTSUS
8541.29.0095
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
50pF @ 25V
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55В°C ~ 150В°C (TJ)
Package
Bulk
Package / Case
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Power Dissipation (Max)
1W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
4Ohm @ 1A, 10V
REACH Status
REACH Unaffected
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Supplier Device Package
TO-92-3
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)
В±30V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 1mA
Id - непрерывный ток утечки
300 mA
Pd - рассеивание мощности
1 W
Rds Вкл - сопротивление сток-исток
4 Ohms
Vds - напряжение пробоя сток-исток
80 V
Vgs - напряжение затвор-исток
30 V, + 30 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток
800 mV
Вид монтажа
Through Hole
Длина
5.21 mm
Канальный режим
Enhancement
Категория продукта
МОП-транзистор
Количество каналов
1 Channel
Конфигурация
Single
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.
170 mS
Подкатегория
MOSFETs
Размер фабричной упаковки
1000
Технология
Si
Тип продукта
MOSFET
Тип транзистора
1 N-Channel
Типичное время задержки выключения
10 ns
Типичное время задержки при включении
10 ns
Торговая марка
Microchip Technology
Упаковка / блок
TO-92-3
Тип
FET
Упаковка
Bulk
PCN Packaging
http://www.microchip.com/mymicrochip/NotificationD
Техническая документация
Datasheet , pdf
, 545 КБ
Datasheet VN0808L-G , pdf
, 352 КБ