UMZ1NT1G, Trans GP BJT NPN/PNP 50V 0.2A 385mW 6-Pin SC-88 T/R, ON Semiconductor - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 3.3 руб.

Сравнить

Описание

Semiconductor - Discrete > Transistors > BJT - General Purpose

Биполярные транзисторы - BJT 200mA 60V Dual Complementary

Информация

Производитель

ON Semiconductor

Артикул

UMZ1NT1G

Категория

Биполярные (BJTs)

Номенклатурный номер

1407461

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+150 °C

Полярность Транзистора

PNP

Base Product Number

UMZ1 ->

Current - Collector (Ic) (Max)

200mA

Current - Collector Cutoff (Max)

2ВµA

DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce

200 @ 2mA, 6V

ECCN

EAR99

Frequency - Transition

114MHz, 142MHz

HTSUS

8541.21.0075

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Mounting Type

Поверхностный монтаж

Operating Temperature

-55В°C ~ 150В°C (TJ)

Package

Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®

Package / Case

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Power - Max

250mW

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

SC-88/SC70-6/SOT-363

Transistor Type

NPN + PNP

Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic

250mV @ 10mA, 100mA / 300mV @ 10mA, 100mA

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)

50V

Maximum Collector Emitter Saturation Voltage

0.25 V dc

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Number of Elements per Chip

Length

2.2мм

Brand

ON Semiconductor

Maximum Collector Emitter Voltage

50 V dc

Package Type

SC-88

Maximum Power Dissipation

385 mW

Width

1.35мм

Height

1мм

Pin Count

Dimensions

2.2 x 1.35 x 1мм

Maximum Emitter Base Voltage

7 V dc

Minimum DC Current Gain

200

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Тип транзистора

NPN + PNP

Размеры

2.2 x 1.35 x 1мм

Pd - рассеивание мощности

187 mW

Вид монтажа

SMD/SMT

Высота

0.9 mm

Длина

2.2мм

Категория продукта

Биполярные транзисторы - BJT

Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)

200

Конфигурация

Dual

Максимальный постоянный ток коллектора

0.2 A

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Напряжение коллектор-база (VCBO)

60 V

Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.

50 V

Напряжение эмиттер-база (VEBO)

7 V

Непрерывный коллекторный ток

0.2 A

Подкатегория

Transistors

Размер фабричной упаковки

3000

Серия

UMZ1N

Тип продукта

BJTs - Bipolar Transistors

Торговая марка

ON Semiconductor

Упаковка / блок

SC-70-6

Ширина

1.25 mm

Квалификация

AEC-Q101

Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)

114 MHz

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер

0.25 V

Configuration

Двойной

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

50 V dc

Тип корпуса

SC-88

Maximum Continuous Collector Current

200 mA

Максимальный непрерывный ток коллектора

200 mA

Automotive Standard

AEC-Q101

Техническая документация

Datasheet UMZ1NT1G , pdf , 140 КБ
Datasheet UMZ1NT1G , pdf , 71 КБ

UMZ1NT1G, Trans GP BJT NPN/PNP 50V 0.2A 385mW 6-Pin SC-88 T/R - характеристики, поставщики

Последняя цена 3.3 руб.

Техническая документация