ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
UMH10NTN, Биполярный цифровой/смещение транзистор, Двойной NPN, 50 В, 100 мА, 2.2 кОм, 47 кОм - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Rohm
UMH10NTN, Биполярный цифровой/смещение транзистор, Двойной NPN, 50 В,…
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Биполярные (BJTs)
5811
UMH10NTN, Биполярный цифровой/смещение транзистор, Двойной NPN, 50 В, 100 мА, 2.2 кОм, 47 кОм
Последняя цена
65 руб.
Сравнить
Описание
Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\Биполярные Транзисторы\С Предварительным Смещением / Цифровые Биполярные Транзисторы
Биполярный транзистор с предварительным смещением (BJT) 2 NPN - с предварительным смещением (двойной) 50 В 100 мА 250 МГц 150 мВт UMT6 для поверхностного монтажа
Информация
Производитель
Rohm
Артикул
UMH10NTN
Категория
Биполярные (BJTs)
Номенклатурный номер
1407389
Технические параметры
Количество Выводов
6 Выводов
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)
MSL 1 - Безлимитный
Напряжение Коллектор-Эмиттер
50в
Transistor Mounting
Surface Mount
Вес, г
0.5
Base Product Number
*MH10 ->
Current - Collector (Ic) (Max)
100mA
Current - Collector Cutoff (Max)
500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
80 @ 10mA, 5V
ECCN
EAR99
Frequency - Transition
250MHz
HTSUS
8541.21.0095
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
Mounting Type
Surface Mount
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
Package / Case
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Power - Max
150mW
REACH Status
REACH Unaffected
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Supplier Device Package
UMT6
Transistor Type
2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
300mV @ 250ВµA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
50V
Корпус РЧ Транзистора
SOT-363
Other Related Documents
http://rohmfs.rohm.com/en/techdata_basic/transisto
Резистор На входе Базы R1
2.2кОм
Непрерывный Коллекторный Ток Ic
100мА
Резистор База-эмиттер R2
47кОм
Полярность Цифрового Транзистора
Двойной NPN
Resistor - Base (R1)
2.2kOhms
Resistor - Emitter Base (R2)
47kOhms
Техническая документация
Datasheet , pdf
, 1179 КБ