ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
UMG5NTR, Биполярный цифровой/смещение транзистор, Двойной NPN, 50 В, 100 мА, 10 кОм, 47 кОм - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Rohm
UMG5NTR, Биполярный цифровой/смещение транзистор, Двойной NPN, 50 В, 1…
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Биполярные (BJTs)
5811
UMG5NTR, Биполярный цифровой/смещение транзистор, Двойной NPN, 50 В, 100 мА, 10 кОм, 47 кОм
Последняя цена
57 руб.
Сравнить
Описание
Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\Биполярные Транзисторы\С Предварительным Смещением / Цифровые Биполярные Транзисторы
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения DUAL NPN 50V 100MA
Информация
Производитель
Rohm
Артикул
UMG5NTR
Категория
Биполярные (BJTs)
Номенклатурный номер
1407387
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
+ 150 C
Количество Выводов
5 Выводов
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)
MSL 1 - Безлимитный
Напряжение Коллектор-Эмиттер
50В
Полярность Транзистора
NPN
Transistor Mounting
Surface Mount
Вес, г
0.5
Base Product Number
*MG5 ->
Current - Collector (Ic) (Max)
100mA
Current - Collector Cutoff (Max)
500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
68 @ 5mA, 5V
ECCN
EAR99
Frequency - Transition
250MHz
HTSUS
8541.21.0095
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
Mounting Type
Surface Mount
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Cut Tape (CT)Digi-Ree
Package / Case
5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Power - Max
150mW
REACH Status
REACH Unaffected
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Supplier Device Package
UMT5
Transistor Type
2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
300mV @ 250ВµA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
50V
Корпус РЧ Транзистора
SOT-353
Pd - рассеивание мощности
150 mW
Вид монтажа
SMD/SMT
Высота
0.77 mm
Длина
2 mm
Категория продукта
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)
68
Конфигурация
Dual Common Emitter
Минимальная рабочая температура
55 C
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.
50 V
Непрерывный коллекторный ток
100 mA
Подкатегория
Transistors
Размер фабричной упаковки
3000
Серия
UMG5N
Тип продукта
BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
Торговая марка
ROHM Semiconductor
Упаковка / блок
TUMT-5
Ширина
1.7 mm
Другие названия товара №
UMG5N
Series
*
Other Related Documents
http://rohmfs.rohm.com/en/techdata_basic/transisto
Резистор На входе Базы R1
10кОм
Непрерывный Коллекторный Ток Ic
100мА
Резистор База-эмиттер R2
47кОм
Полярность Цифрового Транзистора
Двойной NPN
Пиковый постоянный ток коллектора
100 mA
Типичное входное сопротивление
10 kOhms
Типичный коэффициент деления резистора
4.7
Resistor - Base (R1)
10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2)
47kOhms
Техническая документация
Datasheet UMG5NTR , pdf
, 1044 КБ
Datasheet UMG5NTR , pdf
, 1044 КБ
Datasheet UMG5NTR , pdf
, 1069 КБ