UMD6NFHATR, Биполярный цифровой/смещение транзистор, NPN и PNP, 50 В, 100 мА, 4.7 кОм, Rohm - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 70 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\Биполярные Транзисторы\С Предварительным Смещением / Цифровые Биполярные Транзисторы

Биполярные транзисторы - BJT PNP+NPN DIGITAL TRANS

Информация

Производитель

Rohm

Артикул

UMD6NFHATR

Категория

Биполярные (BJTs)

Номенклатурный номер

1407343

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+ 150 C

Количество Выводов

6 Выводов

Напряжение Коллектор-Эмиттер

50в

Полярность Транзистора

NPN, PNP

Transistor Mounting

Surface Mount

Вес, г

0.454

Base Product Number

UMD6 ->

Current - Collector (Ic) (Max)

100mA

Current - Collector Cutoff (Max)

500nA (ICBO)

DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce

100 @ 1mA, 5V

ECCN

EAR99

Frequency - Transition

250MHz

HTSUS

8541.21.0075

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Mounting Type

Surface Mount

Package

Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®

Package / Case

6-VSSOP, SC-88, SOT-363

Power - Max

150mW

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

UMT6

Transistor Type

1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)

Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 250ВµA, 5mA

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)

50V

Линейка Продукции

UMD6N Series

Корпус РЧ Транзистора

SOT-363

Pd - рассеивание мощности

150 mW

Вид монтажа

SMD/SMT

Категория продукта

Биполярные транзисторы - BJT

Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)

100

Конфигурация

Dual

Напряжение коллектор-база (VCBO)

50 V, 50 V

Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.

50 V, 50 V

Напряжение эмиттер-база (VEBO)

5 V, 5 V

Непрерывный коллекторный ток

100 mA, 100 mA

Подкатегория

Transistors

Размер фабричной упаковки

3000

Тип продукта

BJTs - Bipolar Transistors

Торговая марка

ROHM Semiconductor

Упаковка / блок

SOT-363-6

Квалификация

AEC-Q101

Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.

600

Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)

250 MHz

Технология

Series

Automotive, AEC-Q101 ->

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер

300 V, 300 V

Резистор На входе Базы R1

4.7кОм

Непрерывный Коллекторный Ток Ic

100мА

Полярность Цифрового Транзистора

NPN и PNP

Resistor - Base (R1)

4.7kOhms

Техническая документация

Datasheet UMD6NFHATR , pdf , 1622 КБ
Datasheet UMD6NFHATR , pdf , 1626 КБ

UMD6NFHATR, Биполярный цифровой/смещение транзистор, NPN и PNP, 50 В, 100 мА, 4.7 кОм - характеристики, поставщики

Последняя цена 70 руб.

Техническая документация