ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
UMC4N-7, Биполярный транзистор - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Diodes Incorporated
UMC4N-7, Биполярный транзистор
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Биполярные (BJTs)
5811
UMC4N-7, Биполярный транзистор
Последняя цена
8 руб.
Сравнить
Описание
Биполярный транзистор с предварительным смещением (BJT) 1 NPN, 1 PNP - с предварительным смещением (двойной) 50 В 100 мА 250 МГц 150 мВт поверхностный монтаж SOT-353
Информация
Производитель
Diodes Incorporated
Артикул
UMC4N-7
Категория
Биполярные (BJTs)
Номенклатурный номер
1627445
Технические параметры
Base Product Number
UMC4 ->
Current - Collector (Ic) (Max)
100mA
Current - Collector Cutoff (Max)
500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
68 @ 5mA, 5V
ECCN
EAR99
Frequency - Transition
250MHz
HTSUS
8541.21.0075
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
Mounting Type
Surface Mount
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
Package / Case
5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Power - Max
150mW
REACH Status
REACH Unaffected
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Supplier Device Package
SOT-353
Transistor Type
1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
300mV @ 500ВµA, 10mA / 300mV @ 250ВµA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
50V
Transistor Polarity
NPN, PNP
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Length
2.2 mm
Brand
Diodes Incorporated
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Width
1.35 mm
Height
1 mm
Series
UMC4N
Product Category
Bipolar Transistors - Pre-Biased
Configuration
Dual Common Base and Collector
Packaging
Cut Tape or Reel
Manufacturer
Diodes Incorporated
Typical Input Resistor
47 kOhms
Typical Resistor Ratio
1, 0.212
Resistor - Base (R1)
47kOhms, 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2)
47kOhms
Continuous Collector Current
30 mA, 100 mA
DC Collector/Base Gain Hfe Min
68
Factory Pack Quantity
3000
Mounting Style
SMD/SMT
Product Type
BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
Subcategory
Transistors
Unit Weight
0.000212 oz
Number of Channels
2 Channel
Peak DC Collector Current
30 mA
Техническая документация
Datasheet UMC4N-7 , pdf
, 447 КБ
Datasheet , pdf
, 402 КБ