ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
UM2222AU3T106, Биполярный транзистор, NPN, 40 В, 600 мА, 200 мВт, SOT-323, Surface Mount - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Rohm
UM2222AU3T106, Биполярный транзистор, NPN, 40 В, 600 мА, 200 мВт, SOT-…
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Биполярные (BJTs)
5811
UM2222AU3T106, Биполярный транзистор, NPN, 40 В, 600 мА, 200 мВт, SOT-323, Surface Mount
Последняя цена
44 руб.
Сравнить
Описание
Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\Биполярные Транзисторы\Биполярные Одиночные Массивы Транзисторов - BJT
Биполярные транзисторы - BJT TRANS DIGITAL NPN
Информация
Производитель
Rohm
Артикул
UM2222AU3T106
Категория
Биполярные (BJTs)
Номенклатурный номер
1407313
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
150 C
Количество Выводов
3вывод(-ов)
Напряжение Коллектор-Эмиттер
40В
Стиль Корпуса Транзистора
SOT-323
Рассеиваемая Мощность
200мВт
Полярность Транзистора
npn
DC Ток Коллектора
600мА
DC Усиление Тока hFE
100hFE
Частота Перехода ft
300МГц
Transistor Mounting
Surface Mount
Вес, г
0.5
Pd - рассеивание мощности
200 mW
Вид монтажа
SMD/SMT
Категория продукта
Биполярные транзисторы - BJT
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)
100
Конфигурация
Single
Максимальный постоянный ток коллектора
600 mA
Напряжение коллектор-база (VCBO)
75 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.
40 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)
6 V
Непрерывный коллекторный ток
600 mA
Подкатегория
Transistors
Размер фабричной упаковки
3000
Тип продукта
BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка
ROHM Semiconductor
Упаковка / блок
UMT-3
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.
300
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)
300 MHz
Технология
Si
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер
0.3 V
Техническая документация
Datasheet , pdf
, 1501 КБ
Datasheet UM2222AU3T106 , pdf
, 1623 КБ