TPN22006NH,LQ(S транзистор, MOSFET N-CH 60V 9A 10UA TSON8 ADVANCE, Toshiba - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 36 руб.

Сравнить

Информация

Производитель

Toshiba

Артикул

TPN22006NH,LQ(S транзистор

P/N

TPN22006NH,LQ(S

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

1813681

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+150 °C

Максимальный непрерывный ток стока

21 A

Максимальное рассеяние мощности

18 Вт

Тип монтажа

Surface Mount

Ширина

3.1мм

Высота

0.85

Количество элементов на ИС

Максимальное сопротивление сток-исток

64 мОм

Максимальное напряжение сток-исток

60 В

Номер канала

Поднятие

Тип канала

Прямое напряжение диода

1.2V

Длина

3.1мм

Серия

U-MOSVIII-H

Типичное время задержки выключения

13 ns

Тип корпуса

TSON

Размеры

3.1 x 3.1 x 0.85мм

Материал транзистора

Кремний

Transistor Configuration

Одинарный

Типичное время задержки включения

13 ns

Производитель

Toshiba

Maximum Gate Threshold Voltage

Minimum Gate Threshold Voltage

Число контактов

Категория

Коммутируемый полевой МОП-транзистор с регулятором

Типичный заряд затвора при Vgs

12 nC @ 10 V

Типичная входная емкость при Vds

710 пФ при 30 В

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

TPN22006NH,LQ(S транзистор, MOSFET N-CH 60V 9A 10UA TSON8 ADVANCE - характеристики, поставщики

Последняя цена 36 руб.