ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
TPCA8052-H транзистор, MOSFET N-CH 40V 20A 8.4NS U-MOS SOP8 ADV - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Toshiba
TPCA8052-H транзистор, MOSFET N-CH 40V 20A 8.4NS U-MOS SOP8 ADV
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
TPCA8052-H транзистор, MOSFET N-CH 40V 20A 8.4NS U-MOS SOP8 ADV
Последняя цена
94 руб.
Сравнить
Описание
MOSFET N-Channel, TPCAxxxx, Toshiba
Информация
Производитель
Toshiba
Артикул
TPCA8052-H транзистор
P/N
TPCA8052-H
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
1813789
Технические параметры
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Package Type
SOP Advanced
Transistor Material
Si
Length
5мм
Brand
Toshiba
Series
TPC
Pin Count
8
Typical Gate Charge @ Vgs
25 nC @ 10 V
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Mounting Type
Поверхностный монтаж
Transistor Configuration
Одинарный
Maximum Gate Threshold Voltage
2.3V
Number of Elements per Chip
1
Maximum Continuous Drain Current
20 А
Maximum Power Dissipation
30 W
Width
5мм
Height
0.95mm
Maximum Drain Source Resistance
13.1 mΩ
Maximum Drain Source Voltage
40 В
Channel Mode
Enhancement
Channel Type
N