ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
TPC8052-H(TE12L,Q), MOSFET Nch 40V 12A 11.5mo - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Toshiba
TPC8052-H(TE12L,Q), MOSFET Nch 40V 12A 11.5mo
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
TPC8052-H(TE12L,Q), MOSFET Nch 40V 12A 11.5mo
Последняя цена
97 руб.
Сравнить
Описание
MOSFET N-Channel, TPCxxxx, Toshiba
Информация
Производитель
Toshiba
Артикул
TPC8052-H(TE12L,Q)
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
1818340
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
+150 °C
Максимальный непрерывный ток стока
12 A
Package Type
SOP
Максимальное рассеяние мощности
1.9 W
Конфигурация транзистора
Одинарный
Brand
Toshiba
Series
TPC
Максимальное сопротивление сток-исток
13.3 mΩ
Pin Count
8
Maximum Gate Source Voltage
-20 В, +20 В
Mounting Type
Поверхностный монтаж
Длина
6мм
Материал транзистора
Кремний
Maximum Gate Threshold Voltage
2.3V
Типичный заряд затвора при Vgs
13 нКл при 5 В, 25 нКл при 10 В
Number of Elements per Chip
1
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Width
4.4мм
Height
1.5мм
Maximum Drain Source Voltage
40 В
Channel Mode
Поднятие
Channel Type
N