ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
TPC8037-H(TE12L,Q) транзистор, N-Channel MOSFET, 12 A, 30 V, 8-Pin SOP - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Toshiba
TPC8037-H(TE12L,Q) транзистор, N-Channel MOSFET, 12 A, 30 V, 8-Pin SOP
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
TPC8037-H(TE12L,Q) транзистор, N-Channel MOSFET, 12 A, 30 V, 8-Pin SOP
Последняя цена
61 руб.
Сравнить
Описание
MOSFET N-Channel, TPCxxxx, Toshiba
Информация
Производитель
Toshiba
Артикул
TPC8037-H(TE12L,Q) транзистор
P/N
TPC8037-H(TE12L,Q)
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
1744755
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
+150 °C
Максимальное рассеяние мощности
1.9 W
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Ширина
4.4мм
Высота
1.5мм
Transistor Material
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Length
6мм
Brand
Toshiba
Series
TPC
Максимальное напряжение сток-исток
30 В
Typical Gate Charge @ Vgs
11 nC @ 5 V, 21 nC @ 10 V
Тип канала
N
Тип корпуса
SOP
Transistor Configuration
Одинарный
Число контактов
8
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Maximum Continuous Drain Current
12 A
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Maximum Drain Source Resistance
13.9 mΩ
Channel Mode
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
2.5V