ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
TK9J90E, MOSFET N-CHANNEL 900V 9A TO-3P(N) транзистор - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Toshiba
TK9J90E, MOSFET N-CHANNEL 900V 9A TO-3P(N) транзистор
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
TK9J90E, MOSFET N-CHANNEL 900V 9A TO-3P(N) транзистор
Последняя цена
370 руб.
Сравнить
Описание
MOSFET N-канальный, TK8, amp; Серия TK9, Toshiba
Информация
Производитель
Toshiba
Артикул
TK9J90E
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
1816011
Технические параметры
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Package Type
TO-3PN
Transistor Material
Si
Length
15.5мм
Brand
Toshiba
Series
TK
Pin Count
3
Typical Gate Charge @ Vgs
46 nC @ 10 V
Maximum Gate Source Voltage
-30 V, +30 V
Mounting Type
Монтаж на плату в отверстия
Transistor Configuration
Одинарный
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Number of Elements per Chip
1
Maximum Continuous Drain Current
9 A
Maximum Power Dissipation
250 W
Width
4.5мм
Height
20мм
Maximum Drain Source Resistance
1.3 Ω
Maximum Drain Source Voltage
900 V
Channel Mode
Enhancement
Channel Type
N