TK7P65W,RQ(S, MOSFET транзистор, Toshiba - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 58 руб.

Сравнить

Информация

Производитель

Toshiba

Артикул

TK7P65W,RQ(S

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

1745123

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+150 °C

Максимальный непрерывный ток стока

6.8 A

Максимальное рассеяние мощности

60 Вт

Тип монтажа

Surface Mount

Ширина

6.1мм

Высота

2.3мм

Количество элементов на ИС

Максимальное сопротивление сток-исток

800 мΩ

Максимальное напряжение сток-исток

650 В

Номер канала

Поднятие

Тип канала

Прямое напряжение диода

1.7V

Длина

6.6

Серия

DTMOSIV

Типичное время задержки выключения

52 ns

Тип корпуса

DPAK (TO-252)

Размеры

6.6 x 6.1 x 2.3мм

Материал транзистора

Кремний

Transistor Configuration

Одинарный

Типичное время задержки включения

35 ns

Производитель

Toshiba

Maximum Gate Threshold Voltage

3.5V

Minimum Gate Threshold Voltage

2.5V

Число контактов

Категория

Коммутируемый полевой МОП-транзистор с регулятором

Типичный заряд затвора при Vgs

15 нКл при 10 В

Типичная входная емкость при Vds

490 пФ при 300 В

Максимальное напряжение затвор-исток

-30 V, +30 V

TK7P65W,RQ(S, MOSFET транзистор - характеристики, поставщики

Последняя цена 58 руб.