TK62N60W,S1VF(S, MOSFET, DTMOS4, 600V/62A, Транзистор, Toshiba - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 740 руб.

Сравнить

Информация

Производитель

Toshiba

Артикул

TK62N60W,S1VF(S, MOSFET, DTMOS4, 600V/62A

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

1812106

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+150 °C

Максимальный непрерывный ток стока

62 A

Максимальное рассеяние мощности

400 Вт

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Ширина

5.02мм

Высота

20.95мм

Количество элементов на ИС

Максимальное сопротивление сток-исток

40 мΩ

Максимальное напряжение сток-исток

600 В

Номер канала

Поднятие

Тип канала

Длина

15.94мм

Серия

Типичное время задержки выключения

310 нс

Тип корпуса

TO-247

Размеры

15.94 x 5.02 x 20.95мм

Материал транзистора

Кремний

Transistor Configuration

Одинарный

Типичное время задержки включения

115 ns

Производитель

Toshiba

Maximum Gate Threshold Voltage

3.7V

Число контактов

Категория

Мощный МОП-транзистор

Типичный заряд затвора при Vgs

180 nC @ 10 V

Типичная входная емкость при Vds

6500 пФ при 300 В

Максимальное напряжение затвор-исток

-30 V, +30 V

TK62N60W,S1VF(S, MOSFET, DTMOS4, 600V/62A, Транзистор - характеристики, поставщики

Последняя цена 740 руб.