ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
TK5P60W,RVQ(S, MOSFET, NCH, 600V/5A, DPAK транзистор - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Toshiba
TK5P60W,RVQ(S, MOSFET, NCH, 600V/5A, DPAK транзистор
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
TK5P60W,RVQ(S, MOSFET, NCH, 600V/5A, DPAK транзистор
Последняя цена
57 руб.
Сравнить
Информация
Производитель
Toshiba
Артикул
TK5P60W,RVQ(S
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
1814885
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
+150 °C
Вес, г
4
Package Type
DPAK (TO-252)
Максимальное рассеяние мощности
60 W
Transistor Material
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Length
6.6мм
Конфигурация транзистора
Одинарный
Brand
Toshiba
Series
TK
Максимальное сопротивление сток-исток
900 mΩ
Typical Gate Charge @ Vgs
10.5 nC @ 10 V
Maximum Gate Source Voltage
-30 V, +30 V
Mounting Type
Поверхностный монтаж
Maximum Gate Threshold Voltage
3.7V
Число контактов
3
Maximum Continuous Drain Current
5.4 A
Width
7.18mm
Height
2.3mm
Maximum Drain Source Voltage
600 В
Channel Mode
Поднятие
Channel Type
N