ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
TK5A60W,S4VX(M, Транзистор - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Toshiba
TK5A60W,S4VX(M, Транзистор
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
TK5A60W,S4VX(M, Транзистор
Последняя цена
110 руб.
Сравнить
Информация
Производитель
Toshiba
Артикул
TK5A60W,S4VX(M
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
1811876
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
+150 °C
Максимальный непрерывный ток стока
5,4 A
Максимальное рассеяние мощности
30 Вт
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Ширина
4.5мм
Высота
15мм
Количество элементов на ИС
1
Максимальное сопротивление сток-исток
900 мΩ
Максимальное напряжение сток-исток
600 В
Номер канала
Поднятие
Тип канала
N
Длина
10мм
Серия
TK
Типичное время задержки выключения
50 ns
Тип корпуса
TO-220SIS
Размеры
10 x 4.5 x 15мм
Материал транзистора
Кремний
Transistor Configuration
Одинарный
Типичное время задержки включения
40 нс
Производитель
Toshiba
Maximum Gate Threshold Voltage
3.7V
Число контактов
3
Категория
Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs
10.5 nC @ 10 V
Типичная входная емкость при Vds
380 пФ при 300 В
Максимальное напряжение затвор-исток
-30 V, +30 V