ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
TK5A60W,S4VX(M, MOSFET, DTMOS4, 600V/5A, TO3PN, Транзистор - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Toshiba
TK5A60W,S4VX(M, MOSFET, DTMOS4, 600V/5A, TO3PN, Транзистор
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
TK5A60W,S4VX(M, MOSFET, DTMOS4, 600V/5A, TO3PN, Транзистор
Последняя цена
110 руб.
Сравнить
Информация
Производитель
Toshiba
Артикул
TK5A60W,S4VX(M, MOSFET, DTMOS4, 600V/5A, TO3PN
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
1816337
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
+150 °C
Максимальный непрерывный ток стока
5.4 A
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Ширина
4.5мм
Transistor Material
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Brand
Toshiba
Series
TK
Максимальное напряжение сток-исток
600 В
Pin Count
3
Тип канала
N
Длина
10мм
Тип корпуса
TO-220SIS
Transistor Configuration
Одинарный
Типичный заряд затвора при Vgs
10.5 nC @ 10 V
Максимальное напряжение затвор-исток
-30 V, +30 V
Maximum Power Dissipation
30 W
Height
15mm
Maximum Drain Source Resistance
900 mΩ
Channel Mode
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
3.7V